绝缘体上的硅衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810201039.4

申请日：

2008-10-10

公开(公告)号：

CN101369525A

公开(公告)日：

2009-02-18

发明(设计)人：

魏星王湘张苗王曦林成鲁

申请人：

申请人地址：

201821上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2120 H01L21762 H01L2184

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所

代理人：

翟羽

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-24	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:上海新傲科技有限公司变更后:上海新傲科技股份有限公司变更事项:地址变更前:上海市嘉定区普惠路200号邮编: 201821 变更后:上海市嘉定区普惠路200号邮编: 201821
2010-01-27	授权	授权
2009-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-18	公开	公开

共 50 条

[21]

具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片及其制成方法 [P].

李乐 .

中国专利 :CN101976660B ,2011-02-16

[22]

一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法 [P].

王盛凯 ;

刘洪刚 ;

孙兵 ;

赵威 ;

薛百清 .

中国专利 :CN103578934B ,2014-02-12

[23]

一种绝缘体上硅的制备方法 [P].

魏星 ;

汪子文 ;

戴荣旺 .

中国专利 :CN115662943B ,2025-07-08

[24]

一种绝缘体上硅的制备方法 [P].

魏星 ;

汪子文 ;

戴荣旺 .

中国专利 :CN115662943A ,2023-01-31

[25]

一种硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法 [P].

王盛凯 ;

刘洪刚 ;

孙兵 ;

赵威 .

中国专利 :CN103839947A ,2014-06-04

[26]

绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法 [P].

母志强 ;

姜文铮 ;

朱宇波 ;

陈玲丽 ;

俞文杰 ;

李卫民 .

中国专利 :CN116949564B ,2025-06-27

[27]

采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法 [P].

魏星 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102130038A ,2011-07-20

[28]

绝缘体上压电（POI）衬底和制造绝缘体上压电（POI）衬底的方法 [P].

B·塔维尔 ;

I·伯特兰 ;

C·维蒂祖 .

法国专利 :CN118974909A ,2024-11-15

[29]

绝缘体上压电（POI）衬底及生产绝缘体上压电（POI）衬底的方法 [P].

R·考米隆 ;

F·阿利贝尔 ;

I·贝特朗 .

法国专利 :CN119173996A ,2024-12-20

[30]

绝缘体上硅衬底和形成方法 [P].

A·B·博图拉 ;

M·D·贾菲 ;

A·J·约瑟夫 ;

K·F·麦卡维 ;

G·普非伊费尔 ;

R·A·费尔普斯 .

中国专利 :CN103247566A ,2013-08-14

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