一种绝缘体上硅的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211378498.6

申请日：

2022-11-04

公开(公告)号：

CN115662943B

公开(公告)日：

2025-07-08

发明(设计)人：

魏星汪子文戴荣旺

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H10D86/01

代理机构：

上海泰博知识产权代理有限公司 31451

代理人：

钱文斌

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种绝缘体上硅的制备方法 [P].

魏星 ;

汪子文 ;

戴荣旺 .

中国专利 :CN115662943A ,2023-01-31

[2]

制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 [P].

刘超 ;

高兴国 ;

李建平 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1779909A ,2006-05-31

[3]

一种绝缘体上硅器件及绝缘体上硅器件制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

陈高鹏 ;

张标 .

中国专利 :CN119342894A ,2025-01-21

[4]

一种绝缘体上硅结构的制备方法 [P].

魏星 ;

戴荣旺 ;

薛忠营 .

中国专利 :CN119545903A ,2025-02-28

[5]

绝缘体上硅及其制备方法 [P].

徐春云 ;

徐振宇 .

中国专利 :CN104766788A ,2015-07-08

[6]

制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101604657B ,2009-12-16

[7]

采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101615590B ,2009-12-30

[8]

绝缘体上的硅衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101369525A ,2009-02-18

[9]

一种制备绝缘体上硅结构的方法 [P].

刘宏 ;

刘晓晗 ;

刘明 .

中国专利 :CN1536622A ,2004-10-13

[10]

一种绝缘体上硅材料的制备方法 [P].

亢勇 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN102543691A ,2012-07-04

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