一种绝缘体上硅材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210070279.1

申请日：

2012-03-16

公开(公告)号：

CN102543691A

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

亢勇陈邦明

申请人：

申请人地址：

201506 上海市金山区亭卫公路6505号2栋8号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21324 H01L21304

代理机构：

上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257

代理人：

董红曼

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-04	公开	公开
2015-03-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101712026740 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2012100702791 申请公布日:20120704
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101322549402 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2012100702791 申请日:20120316

共 50 条

[1]

基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法 [P].

陈志君 ;

张峰 .

中国专利 :CN1322547C ,2005-08-17

[2]

制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法 [P].

欧欣 ;

王曦 ;

张苗 .

中国专利 :CN101388331A ,2009-03-18

[3]

一种绝缘体上硅器件及绝缘体上硅器件制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

陈高鹏 ;

张标 .

中国专利 :CN119342894A ,2025-01-21

[4]

一种制备绝缘体上硅结构的方法 [P].

刘宏 ;

刘晓晗 ;

刘明 .

中国专利 :CN1536622A ,2004-10-13

[5]

一种绝缘体上硅衬底及其制备方法、应用 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

王桂磊 ;

戚璇 ;

王云 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN113471289B ,2024-07-16

[6]

一种绝缘体上硅衬底及其制备方法、应用 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

王桂磊 ;

戚璇 ;

王云 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN113471289A ,2021-10-01

[7]

制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 [P].

刘超 ;

高兴国 ;

李建平 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1779909A ,2006-05-31

[8]

一种绝缘体上硅的制备方法 [P].

魏星 ;

汪子文 ;

戴荣旺 .

中国专利 :CN115662943B ,2025-07-08

[9]

一种绝缘体上硅的制备方法 [P].

魏星 ;

汪子文 ;

戴荣旺 .

中国专利 :CN115662943A ,2023-01-31

[10]

绝缘体上硅及其制备工艺 [P].

陈猛 .

中国专利 :CN101101891A ,2008-01-09

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