制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810202084.1

申请日：

2008-10-31

公开(公告)号：

CN101388331A

公开(公告)日：

2009-03-18

发明(设计)人：

欧欣王曦张苗

申请人：

申请人地址：

201821上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2120 H01L21316 H01L21265 H01L21762 H01L2184

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所

代理人：

翟羽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-25	授权	授权
2009-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-03-18	公开	公开

共 50 条

[1]

制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法 [P].

欧欣 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN101477963A ,2009-07-08

[2]

采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101615590B ,2009-12-30

[3]

一种绝缘体上硅结构的制备方法 [P].

魏星 ;

戴荣旺 ;

薛忠营 .

中国专利 :CN119545903A ,2025-02-28

[4]

采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法 [P].

魏星 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102130038A ,2011-07-20

[5]

一种绝缘体上硅材料的制备方法 [P].

亢勇 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN102543691A ,2012-07-04

[6]

绝缘体上的硅衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101369525A ,2009-02-18

[7]

一种氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

杨建 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101914758A ,2010-12-15

[8]

绝缘体上锗硅衬底的制备方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 .

中国专利 :CN100557767C ,2009-02-04

[9]

制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 [P].

刘超 ;

高兴国 ;

李建平 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1779909A ,2006-05-31

[10]

用于绝缘体上的硅槽刻蚀方法 [P].

徐静 ;

肖志强 ;

高向东 ;

李俊 .

中国专利 :CN100521163C ,2008-06-18

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