采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010608050.X

申请日：

2010-12-27

公开(公告)号：

CN102130038A

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

魏星曹共柏张峰王曦

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L21265 H01L21324

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218

代理人：

翟羽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-20	公开	公开
2016-06-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101734139285 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:201010608050X 申请公布日:20110720
2011-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101156510463 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:201010608050X 申请日:20101227

共 50 条

[1]

一种氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

杨建 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101914758A ,2010-12-15

[2]

采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101615590B ,2009-12-30

[3]

制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法 [P].

欧欣 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN101477963A ,2009-07-08

[4]

一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法 [P].

王曦 ;

薛忠营 ;

张苗 ;

肖德元 ;

魏星 .

中国专利 :CN101740463A ,2010-06-16

[5]

制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法 [P].

欧欣 ;

王曦 ;

张苗 .

中国专利 :CN101388331A ,2009-03-18

[6]

绝缘体上锗硅衬底的制备方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 .

中国专利 :CN100557767C ,2009-02-04

[7]

一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上锗材料的方法 [P].

王曦 ;

薛忠营 ;

张苗 ;

肖德元 ;

魏星 .

中国专利 :CN101710576B ,2010-05-19

[8]

阱注入方法、绝缘体上硅器件制造方法和绝缘体上硅器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN102737968A ,2012-10-17

[9]

绝缘体上的硅衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101369525A ,2009-02-18

[10]

制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 [P].

刘超 ;

高兴国 ;

李建平 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1779909A ,2006-05-31

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