一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910200127.7

申请日：

2009-12-08

公开(公告)号：

CN101740463A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

王曦薛忠营张苗肖德元魏星

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

余明伟;冯珺

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005258549 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2009102001277 申请日:20091208
2010-06-16	公开	公开
2013-04-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101558597631 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2009102001277 申请公布日:20100616

共 50 条

[1]

一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上锗材料的方法 [P].

王曦 ;

薛忠营 ;

张苗 ;

肖德元 ;

魏星 .

中国专利 :CN101710576B ,2010-05-19

[2]

采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法 [P].

魏星 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102130038A ,2011-07-20

[3]

一种氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

杨建 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101914758A ,2010-12-15

[4]

一种绝缘体上应变硅制备方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 ;

薛忠营 ;

魏星 ;

武爱民 .

中国专利 :CN101916741B ,2010-12-15

[5]

一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

杨建 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101901780A ,2010-12-01

[6]

绝缘体上应变硅结构的制造方法 [P].

A·M·琼斯 ;

L·费 .

中国专利 :CN101292341A ,2008-10-22

[7]

一种绝缘体上锗衬底结构通过离子注入工艺的制备方法 [P].

陈敏腾 ;

杨秀静 .

中国专利 :CN120164846A ,2025-06-17

[8]

一种绝缘体上硅材料的制备方法 [P].

亢勇 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN102543691A ,2012-07-04

[9]

利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 ;

薛忠营 ;

魏星 ;

武爱民 .

中国专利 :CN101958271B ,2011-01-26

[10]

一种基于绝缘体上应变硅纳米薄膜 [P].

赵莉民 .

中国专利 :CN109216429A ,2019-01-15

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