利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010223135.6

申请日：

2010-07-09

公开(公告)号：

CN101958271B

公开(公告)日：

2011-01-26

发明(设计)人：

张苗张波王曦薛忠营魏星武爱民

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

潘振甦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-26	公开	公开
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101058490567 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2010102231356 申请日:20100709
2019-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20100709 授权公告日:20120926 终止日期:20180709
2012-09-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种绝缘体上应变硅制备方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 ;

薛忠营 ;

魏星 ;

武爱民 .

中国专利 :CN101916741B ,2010-12-15

[2]

制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 [P].

刘超 ;

高兴国 ;

李建平 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1779909A ,2006-05-31

[3]

应变绝缘体上硅的形成方法 [P].

盖伊·M·科恩 ;

希尔科·H·克里斯蒂安森 .

中国专利 :CN100470724C ,2006-01-25

[4]

绝缘体上应变硅结构的制造方法 [P].

A·M·琼斯 ;

L·费 .

中国专利 :CN101292341A ,2008-10-22

[5]

绝缘体上硅及其制备方法 [P].

徐春云 ;

徐振宇 .

中国专利 :CN104766788A ,2015-07-08

[6]

制作应变绝缘体上硅结构的方法及用此方法形成的绝缘体上硅结构 [P].

古川俊治 ;

查尔斯·W.·考伯格三世 ;

詹姆斯·A.·斯林科曼 .

中国专利 :CN1914722B ,2007-02-14

[7]

一种基于绝缘体上应变硅纳米薄膜 [P].

赵莉民 .

中国专利 :CN109216429A ,2019-01-15

[8]

绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103035654B ,2013-04-10

[9]

绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 ;

许丹 .

中国专利 :CN103022054A ,2013-04-03

[10]

超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法 [P].

陈松岩 ;

赖淑妹 ;

毛丹枫 ;

李成 ;

黄巍 .

中国专利 :CN105118804A ,2015-12-02

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