一种绝缘体上应变硅制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010223281.9

申请日：

2010-07-09

公开(公告)号：

CN101916741B

公开(公告)日：

2010-12-15

发明(设计)人：

张苗张波王曦薛忠营魏星武爱民

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

潘振甦

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-14	授权	授权
2010-12-15	公开	公开
2019-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20100709 授权公告日:20111214 终止日期:20180709
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035091509 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2010102232819 申请日:20100709

共 50 条

[1]

一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

杨建 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101901780A ,2010-12-01

[2]

利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 ;

薛忠营 ;

魏星 ;

武爱民 .

中国专利 :CN101958271B ,2011-01-26

[3]

绝缘体上应变硅结构的制造方法 [P].

A·M·琼斯 ;

L·费 .

中国专利 :CN101292341A ,2008-10-22

[4]

一种基于绝缘体上应变硅纳米薄膜 [P].

赵莉民 .

中国专利 :CN109216429A ,2019-01-15

[5]

全耗尽绝缘体上应变硅MOS器件及其制备方法 [P].

郝敏如 ;

王玉辰 ;

陈丹婷 ;

李嘉骏 ;

陈国祥 ;

吴华 .

中国专利 :CN119384008A ,2025-01-28

[6]

一种绝缘体上应变硅/锗晶体管及其制备方法 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

王桂磊 ;

孔真真 ;

罗雪 ;

王云 ;

薛静 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN112635325A ,2021-04-09

[7]

绝缘体上硅及其制备方法 [P].

徐春云 ;

徐振宇 .

中国专利 :CN104766788A ,2015-07-08

[8]

绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法 [P].

马通达 ;

屠海令 ;

胡广勇 ;

孙泽明 ;

邵贝羚 ;

刘安生 .

中国专利 :CN101201330A ,2008-06-18

[9]

一种绝缘体上硅器件及绝缘体上硅器件制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

陈高鹏 ;

张标 .

中国专利 :CN119342894A ,2025-01-21

[10]

应变绝缘体上硅的形成方法 [P].

盖伊·M·科恩 ;

希尔科·H·克里斯蒂安森 .

中国专利 :CN100470724C ,2006-01-25

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