绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610165285.X

申请日：

2006-12-15

公开(公告)号：

CN101201330A

公开(公告)日：

2008-06-18

发明(设计)人：

马通达屠海令胡广勇孙泽明邵贝羚刘安生

申请人：

申请人地址：

100088北京市新街口外大街2号

IPC主分类号：

G01N23207

IPC分类号：

G01N23205

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司

代理人：

郭佩兰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-06-18	公开	公开
2018-12-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 23/207 申请日:20061215 授权公告日:20101110 终止日期:20171215
2010-11-10	授权	授权
2016-06-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101734396884 IPC(主分类):G01N 23/207 专利号:ZL200610165285X 登记生效日:20160531 变更事项:专利权人变更前权利人:北京有色金属研究总院变更后权利人:国标(北京)检验认证有限公司变更事项:地址变更前权利人:100088 北京市新街口外大街2号变更后权利人:101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区杨雁路88号
2008-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

绝缘体上应变硅结构的制造方法 [P].

A·M·琼斯 ;

L·费 .

中国专利 :CN101292341A ,2008-10-22

[2]

一种绝缘体上应变硅制备方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 ;

薛忠营 ;

魏星 ;

武爱民 .

中国专利 :CN101916741B ,2010-12-15

[3]

利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 ;

薛忠营 ;

魏星 ;

武爱民 .

中国专利 :CN101958271B ,2011-01-26

[4]

应变绝缘体上硅的形成方法 [P].

盖伊·M·科恩 ;

希尔科·H·克里斯蒂安森 .

中国专利 :CN100470724C ,2006-01-25

[5]

用于绝缘体上应变硅晶片上双重隔离的方法和装置 [P].

B.B.多里斯 ;

何虹 ;

A.卡基菲鲁兹 ;

王俊利 .

中国专利 :CN105870061B ,2016-08-17

[6]

全耗尽绝缘体上应变硅MOS器件及其制备方法 [P].

郝敏如 ;

王玉辰 ;

陈丹婷 ;

李嘉骏 ;

陈国祥 ;

吴华 .

中国专利 :CN119384008A ,2025-01-28

[7]

一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

杨建 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101901780A ,2010-12-01

[8]

一种基于绝缘体上应变硅纳米薄膜 [P].

赵莉民 .

中国专利 :CN109216429A ,2019-01-15

[9]

制作应变绝缘体上硅结构的方法及用此方法形成的绝缘体上硅结构 [P].

古川俊治 ;

查尔斯·W.·考伯格三世 ;

詹姆斯·A.·斯林科曼 .

中国专利 :CN1914722B ,2007-02-14

[10]

绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103035654B ,2013-04-10

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