绝缘体上应变硅结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680031186.0

申请日：

2006-08-02

公开(公告)号：

CN101292341A

公开(公告)日：

2008-10-22

发明(设计)人：

A·M·琼斯 L·费

申请人：

申请人地址：

美国密苏里州

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2712

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-22	公开	公开
2011-02-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101066678735 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2006800311860 公开日:20081022
2008-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法 [P].

马通达 ;

屠海令 ;

胡广勇 ;

孙泽明 ;

邵贝羚 ;

刘安生 .

中国专利 :CN101201330A ,2008-06-18

[2]

一种绝缘体上应变硅制备方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 ;

薛忠营 ;

魏星 ;

武爱民 .

中国专利 :CN101916741B ,2010-12-15

[3]

制作应变绝缘体上硅结构的方法及用此方法形成的绝缘体上硅结构 [P].

古川俊治 ;

查尔斯·W.·考伯格三世 ;

詹姆斯·A.·斯林科曼 .

中国专利 :CN1914722B ,2007-02-14

[4]

制造绝缘体上硅结构的工艺 [P].

C·大卫 ;

塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 .

中国专利 :CN103035562A ,2013-04-10

[5]

利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 ;

薛忠营 ;

魏星 ;

武爱民 .

中国专利 :CN101958271B ,2011-01-26

[6]

应变绝缘体上硅的形成方法 [P].

盖伊·M·科恩 ;

希尔科·H·克里斯蒂安森 .

中国专利 :CN100470724C ,2006-01-25

[7]

用于绝缘体上应变硅晶片上双重隔离的方法和装置 [P].

B.B.多里斯 ;

何虹 ;

A.卡基菲鲁兹 ;

王俊利 .

中国专利 :CN105870061B ,2016-08-17

[8]

绝缘体上硅晶片的制造方法 [P].

蓝镇立 ;

刘东明 ;

颜秀文 ;

贾京英 ;

乔狮雄 ;

文正 .

中国专利 :CN101532179B ,2009-09-16

[9]

绝缘体上硅衬底的制造方法 [P].

刘玮荪 .

中国专利 :CN108428664B ,2018-08-21

[10]

绝缘体上硅制品的制造方法 [P].

安德鲁·约翰·布劳利 ;

佩塔尔·布兰科·阿塔纳茨科维奇 ;

安德鲁·约翰·布莱克 ;

林永超 .

中国专利 :CN104094399A ,2014-10-08

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