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绝缘体上压电（POI）衬底和制造绝缘体上压电（POI）衬底的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380031788.X
申请日：
2023-03-30
公开(公告)号：
CN118974909A
公开(公告)日：
2024-11-15
发明(设计)人：
B·塔维尔 I·伯特兰 C·维蒂祖
申请人：
索泰克公司
申请人地址：
法国伯尔宁
IPC主分类号：
H01L21/762
IPC分类号：
H03H9/02 H10N30/079 H10N30/00
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
陈浩锋;徐敏刚
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-17 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20230330
2024-11-15 公开 公开
共 50 条
[1]
绝缘体上压电（POI）衬底及生产绝缘体上压电（POI）衬底的方法 [P]. 
R·考米隆 ;
F·阿利贝尔 ;
I·贝特朗 .
法国专利 :CN119173996A ,2024-12-20
[2]
绝缘体上压电（POI）衬底和用于制造绝缘体上压电（POI）衬底的方法 [P]. 
亚历克西斯·德劳因 ;
I·于耶 ;
O·科农丘克 ;
M·波卡特 ;
L·卡佩罗 ;
B·塔维尔 .
法国专利 :CN120113394A ,2025-06-06
[3]
绝缘体上压电（POI）基板和制造绝缘体上压电（POI）基板的方法 [P]. 
I·于耶 ;
亚历克西斯·德劳因 ;
O·科农丘克 ;
M·波卡特 ;
L·卡佩罗 ;
B·塔维尔 .
法国专利 :CN120113395A ,2025-06-06
[4]
绝缘体上压电（POI）基板和制造绝缘体上压电（POI）基板的方法 [P]. 
亚历克西斯·德劳因 .
法国专利 :CN118749231A ,2024-10-08
[5]
绝缘体上压电（POI）基板和制造绝缘体上压电（POI）基板的方法 [P]. 
M·波卡特 ;
亚历克西斯·德劳因 ;
O·科农丘克 ;
L·卡佩罗 ;
B·塔维尔 ;
I·伯特兰 ;
莫尔加纳·洛吉奥 .
法国专利 :CN120113396A ,2025-06-06
[6]
绝缘体上硅衬底的制造方法 [P]. 
刘玮荪 .
中国专利 :CN108428664B ,2018-08-21
[7]
绝缘体上硅锗(SGOI)和绝缘体上锗(GOI)衬底的制造方法 [P]. 
陈自强 ;
盖伊·科恩 ;
亚历山大·雷茨尼采克 ;
德温得拉·萨达纳 ;
加瓦姆·沙赫迪 .
中国专利 :CN1875473A ,2006-12-06
[8]
绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底 [P]. 
李乐 .
中国专利 :CN103035654B ,2013-04-10
[9]
绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底 [P]. 
李乐 ;
许丹 .
中国专利 :CN103022054A ,2013-04-03
[10]
形成绝缘体上硅衬底的方法 [P]. 
艾力克斯·乌先科 .
中国专利 :CN109616440A ,2019-04-12
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