辐射敏感组合物、非晶膜和抗蚀图案形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680020207.2

申请日：

2016-03-17

公开(公告)号：

CN107407874A

公开(公告)日：

2017-11-28

发明(设计)人：

越后雅敏樋田匠佐藤隆

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G03F7022

IPC分类号：

C08F21418 G03F7004

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F 7/022 申请公布日:20171128
2017-11-28	公开	公开
2018-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/022 申请日:20160317

共 50 条

[1]

辐射敏感组合物及抗蚀图案形成方法 [P].

越后雅敏 ;

樋田匠 ;

佐藤隆 .

中国专利 :CN107430337A ,2017-12-01

[2]

膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、辐射线敏感性组合物、非晶膜的制造方法、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜的制造方法和电路图案形成方法 [P].

大松祯 ;

山本拓央 ;

堀内淳矢 ;

牧野岛高史 ;

越后雅敏 .

中国专利 :CN113302223A ,2021-08-24

[3]

化合物、其组合物、纯化方法以及抗蚀图案形成方法、非晶膜的制造方法 [P].

樋田匠 ;

清水洋子 ;

牧野嶋高史 ;

佐藤隆 ;

越后雅敏 .

中国专利 :CN108137478B ,2018-06-08

[4]

抗蚀材料、抗蚀组合物和抗蚀图案形成方法 [P].

樋田匠 ;

佐藤隆 ;

越后雅敏 .

中国专利 :CN106462059A ,2017-02-22

[5]

化合物、树脂、组合物、抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法 [P].

樋田匠 ;

佐藤隆 ;

越后雅敏 .

中国专利 :CN108473639A ,2018-08-31

[6]

环状化合物、其制造方法、辐射敏感组合物及抗蚀图案形成方法 [P].

越后雅敏 ;

林宏美 .

中国专利 :CN102498104A ,2012-06-13

[7]

化合物、树脂、组合物、以及抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法 [P].

越后雅敏 .

中国专利 :CN109715591A ,2019-05-03

[8]

化合物、树脂、组合物、以及抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法 [P].

越后雅敏 .

中国专利 :CN109790097A ,2019-05-21

[9]

化合物、树脂、组合物、以及抗蚀图案形成方法和图案形成方法 [P].

越后雅敏 .

中国专利 :CN109790175A ,2019-05-21

[10]

抗蚀剂下层膜形成用组合物和图案形成方法 [P].

佐藤隆 ;

越后雅敏 ;

牧野岛高史 .

中国专利 :CN112088336A ,2020-12-15

← 1 2 3 4 5 →