一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310117094.2

申请日：

2003-12-09

公开(公告)号：

CN1546740A

公开(公告)日：

2004-11-17

发明(设计)人：

黄勇李海峰张厚兴万之坚张立明马天

申请人：

申请人地址：

100084北京市100084－82信箱

IPC主分类号：

C30B2500

IPC分类号：

C23C1624 H01L21365

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司

代理人：

李光松

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-29	文件的公告送达	文件的公告送达号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101008068323 IPC(主分类):C30B 25/00 专利号:ZL2003101170942 专利申请号:2003101170942 收件人:贾德辉文件名称:手续合格通知书
2006-10-11	授权	授权
2010-09-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101007447260 IPC(主分类):C30B 25/00 专利号:ZL2003101170942 变更事项:专利权人变更前权利人:清华大学变更后权利人:辽宁南光节能科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:100084 北京市100084-82信箱变更后权利人:112000 辽宁省铁岭市经济开发区温庄子分场登记生效日:20100730
2018-01-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 25/00 申请日:20031209 授权公告日:20061011 终止日期:20161209
2005-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-11-17	公开	公开

共 50 条

[1]

陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池 [P].

黄勇 ;

李海峰 ;

张厚兴 ;

万之坚 ;

张立明 ;

马天 .

中国专利 :CN1547259A ,2004-11-17

[2]

一种利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法 [P].

陈诺夫 ;

杨博 ;

牟潇野 ;

阮绍林 ;

阮正亚 .

中国专利 :CN105448707A ,2016-03-30

[3]

一种多晶硅多晶粒薄膜的制备工艺 [P].

段春艳 ;

唐建生 ;

冯泽君 ;

许继源 ;

陈潇跃 ;

李颖 ;

连佳生 ;

赖华景 ;

谢灏 ;

柳淦元 .

中国专利 :CN111564528A ,2020-08-21

[4]

一种多晶硅薄膜的沉积方法 [P].

赵星 .

中国专利 :CN105097458A ,2015-11-25

[5]

用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法 [P].

金海元 ;

禹相浩 ;

赵星吉 ;

朴松焕 ;

郑敬洙 .

中国专利 :CN102017085B ,2011-04-13

[6]

用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法 [P].

金海元 ;

禹相浩 ;

赵星吉 ;

朴松焕 ;

郑敬洙 .

中国专利 :CN102016115A ,2011-04-13

[7]

多晶硅薄膜的沉积方法 [P].

顾武强 ;

姜波 ;

张凌越 .

中国专利 :CN109778141A ,2019-05-21

[8]

铝诱导低温制备大晶粒多晶硅薄膜的方法 [P].

沈鸿烈 ;

唐正霞 ;

鲁林峰 ;

漆海平 ;

江丰 .

中国专利 :CN101665905A ,2010-03-10

[9]

多晶硅薄膜的沉积方法 [P].

聂广宇 .

中国专利 :CN111048416A ,2020-04-21

[10]

一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法 [P].

陈伟 ;

游达 ;

胡亚兰 ;

杨晓琴 ;

武鹏 .

中国专利 :CN102534772B ,2012-07-04

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