一种利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511008507.2

申请日：

2015-12-30

公开(公告)号：

CN105448707A

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

陈诺夫杨博牟潇野阮绍林阮正亚

申请人：

申请人地址：

213000 江苏省常州市钟楼经济开发区棕榈路南

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

代理机构：

北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548

代理人：

李静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	公开	公开
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101664312465 IPC(主分类):H01L 21/3205 专利申请号:2015110085072 申请日:20151230
2018-08-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/3205 申请公布日:20160330

共 50 条

[1]

一种多晶硅薄膜的制备方法 [P].

万青 ;

黄晋 ;

龚骏 ;

竺立强 ;

李莉 .

中国专利 :CN102249553B ,2011-11-23

[2]

一种多晶硅薄膜电极制备工艺 [P].

罗勇 ;

罗嘉玮 ;

李斌 .

中国专利 :CN109576671A ,2019-04-05

[3]

柔性石墨衬底多晶硅薄膜的制备方法 [P].

陈吉堃 .

中国专利 :CN101478018A ,2009-07-08

[4]

多晶硅薄膜衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

戴荣旺 ;

薛忠营 ;

刘赟 ;

魏涛 ;

栗展 ;

李名浩 ;

刘文凯 .

中国专利 :CN113161229A ,2021-07-23

[5]

柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法 [P].

阮绍林 ;

阮正亚 ;

陈诺夫 ;

辛雅焜 ;

吴强 ;

沈潮华 .

中国专利 :CN104766784A ,2015-07-08

[6]

一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法 [P].

陈诺夫 ;

辛雅焜 ;

何海洋 ;

吴强 ;

弭辙 ;

白一鸣 ;

高征 .

中国专利 :CN103426976B ,2013-12-04

[7]

一种多晶硅薄膜的制备方法 [P].

朱开贵 ;

陈芳芳 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN103346072A ,2013-10-09

[8]

一种多晶硅薄膜制备方法 [P].

万青 ;

曾梦麟 ;

张雪平 ;

佘鹏 .

中国专利 :CN102071405B ,2011-05-25

[9]

陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池 [P].

黄勇 ;

李海峰 ;

张厚兴 ;

万之坚 ;

张立明 ;

马天 .

中国专利 :CN1547259A ,2004-11-17

[10]

一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法 [P].

黄勇 ;

李海峰 ;

张厚兴 ;

万之坚 ;

张立明 ;

马天 .

中国专利 :CN1546740A ,2004-11-17

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