柔性石墨衬底多晶硅薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910008900.X

申请日：

2009-02-12

公开(公告)号：

CN101478018A

公开(公告)日：

2009-07-08

发明(设计)人：

陈吉堃

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号11楼742号

IPC主分类号：

H01L3120

IPC分类号：

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代理人：

法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-08	公开	公开
2011-12-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101249320783 IPC(主分类):H01L 31/20 专利申请号:200910008900X 公开日:20090708
2009-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法 [P].

阮绍林 ;

阮正亚 ;

陈诺夫 ;

辛雅焜 ;

吴强 ;

沈潮华 .

中国专利 :CN104766784A ,2015-07-08

[2]

多晶硅薄膜衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

戴荣旺 ;

薛忠营 ;

刘赟 ;

魏涛 ;

栗展 ;

李名浩 ;

刘文凯 .

中国专利 :CN113161229A ,2021-07-23

[3]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN102956499A ,2013-03-06

[4]

一种利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法 [P].

陈诺夫 ;

杨博 ;

牟潇野 ;

阮绍林 ;

阮正亚 .

中国专利 :CN105448707A ,2016-03-30

[5]

多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

徐洪涛 ;

陈猛 ;

高楠 ;

苏鑫 .

中国专利 :CN110444467A ,2019-11-12

[6]

多晶硅半导体薄膜衬底的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111755321A ,2020-10-09

[7]

多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

徐洪涛 ;

陈猛 ;

高楠 ;

苏鑫 .

中国专利 :CN110400743A ,2019-11-01

[8]

制造多晶硅薄膜的方法 [P].

严枰镕 .

中国专利 :CN101317249B ,2008-12-03

[9]

低温多晶硅薄膜的制备方法 [P].

彭思君 ;

吴建宏 ;

刘冲 ;

严晓龙 .

中国专利 :CN104167349A ,2014-11-26

[10]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

江润峰 ;

孙天拓 .

中国专利 :CN104217940A ,2014-12-17

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