多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910753249.2

申请日：

2019-08-15

公开(公告)号：

CN110400743A

公开(公告)日：

2019-11-01

发明(设计)人：

魏星徐洪涛陈猛高楠苏鑫

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21324 H01L2167

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20191101
2019-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190815
2019-11-01	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

徐洪涛 ;

陈猛 ;

高楠 ;

苏鑫 .

中国专利 :CN110444467A ,2019-11-12

[2]

多晶硅半导体薄膜衬底的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111755321A ,2020-10-09

[3]

多晶硅薄膜衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

戴荣旺 ;

薛忠营 ;

刘赟 ;

魏涛 ;

栗展 ;

李名浩 ;

刘文凯 .

中国专利 :CN113161229A ,2021-07-23

[4]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

范建国 ;

季峰强 ;

董智刚 ;

黄柏喻 .

中国专利 :CN101290877A ,2008-10-22

[5]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

何永根 ;

陈旺 .

中国专利 :CN101307488B ,2008-11-19

[6]

低温多晶硅薄膜的制备方法及半导体结构 [P].

王鹏 .

中国专利 :CN106356287B ,2017-01-25

[7]

柔性石墨衬底多晶硅薄膜的制备方法 [P].

陈吉堃 .

中国专利 :CN101478018A ,2009-07-08

[8]

具有多晶硅薄膜的半导体器件 [P].

山口道也 .

中国专利 :CN1076551A ,1993-09-22

[9]

多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅TFT结构 [P].

张良芬 ;

连水池 ;

罗长诚 ;

吴元均 ;

徐源竣 ;

郭海成 ;

王文 ;

陈荣盛 ;

周玮 ;

张猛 .

中国专利 :CN104992899A ,2015-10-21

[10]

多晶硅薄膜形成方法和半导体结构的形成方法 [P].

李泓博 ;

高杏 .

中国专利 :CN111725058A ,2020-09-29

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