低温多晶硅薄膜的制备方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610861310.1

申请日：

2016-09-29

公开(公告)号：

CN106356287B

公开(公告)日：

2017-01-25

发明(设计)人：

王鹏

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路1号4幢

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101705788476 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2016108613101 申请日:20160929
2019-03-26	授权	授权
2017-01-25	公开	公开

共 50 条

[1]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[2]

低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P].

张隆贤 ;

余威 .

中国专利 :CN104404617A ,2015-03-11

[3]

低温多晶硅薄膜制造方法 [P].

颜硕廷 .

中国专利 :CN101168474B ,2008-04-30

[4]

低温多晶硅薄膜及其制备方法、晶体管 [P].

张隆贤 .

中国专利 :CN103700695B ,2014-04-02

[5]

低温多晶硅薄膜及其制备方法及显示装置 [P].

王鹏 .

中国专利 :CN106328497A ,2017-01-11

[6]

制作低温多晶硅薄膜的方法 [P].

张志雄 ;

陈亦伟 ;

孙铭伟 .

中国专利 :CN100433242C ,2005-05-11

[7]

一种低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 ;

龙春平 ;

姚江峰 .

中国专利 :CN102651311B ,2012-08-29

[8]

低温多晶硅薄膜的制备方法 [P].

彭思君 ;

吴建宏 ;

刘冲 ;

严晓龙 .

中国专利 :CN104167349A ,2014-11-26

[9]

准分子激光退火装置及低温多晶硅薄膜的制备方法 [P].

田雪雁 .

中国专利 :CN104392913B ,2015-03-04

[10]

低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法 [P].

彭佳添 ;

吴焕照 .

中国专利 :CN1536620A ,2004-10-13

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