低温多晶硅薄膜及其制备方法及显示装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610970309.2

申请日：

2016-10-28

公开(公告)号：

CN106328497A

公开(公告)日：

2017-01-11

发明(设计)人：

王鹏

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路1号4幢

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2904 H01L2916

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

唐清凯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-19	授权	授权
2017-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101702023025 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2016109703092 申请日:20161028
2017-01-11	公开	公开

共 50 条

[1]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[2]

低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P].

张隆贤 ;

余威 .

中国专利 :CN104404617A ,2015-03-11

[3]

低温多晶硅薄膜制造方法 [P].

颜硕廷 .

中国专利 :CN101168474B ,2008-04-30

[4]

低温多晶硅薄膜及其制备方法、晶体管 [P].

张隆贤 .

中国专利 :CN103700695B ,2014-04-02

[5]

低温多晶硅薄膜的制备方法、TFT、阵列基板及显示装置 [P].

左岳平 ;

李良坚 ;

陈善韬 ;

徐文清 .

中国专利 :CN104538310A ,2015-04-22

[6]

低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示装置 [P].

张慧娟 .

中国专利 :CN103681776B ,2014-03-26

[7]

低温多晶硅薄膜的制备方法及半导体结构 [P].

王鹏 .

中国专利 :CN106356287B ,2017-01-25

[8]

低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及显示装置 [P].

牛亚男 ;

刘超 ;

贺增胜 ;

陈蕾 ;

张玉军 .

中国专利 :CN104658891B ,2015-05-27

[9]

准分子激光退火装置及低温多晶硅薄膜的制备方法 [P].

田雪雁 .

中国专利 :CN104392913B ,2015-03-04

[10]

低温多晶硅薄膜的制备方法、TFT、阵列基板及显示装置 [P].

何璇 ;

姜春生 .

中国专利 :CN104299891A ,2015-01-21

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