学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

多晶硅薄膜衬底的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110389647.8
申请日：
2021-04-12
公开(公告)号：
CN113161229A
公开(公告)日：
2021-07-23
发明(设计)人：
魏星 戴荣旺 薛忠营 刘赟 魏涛 栗展 李名浩 刘文凯
申请人：
申请人地址：
201306 上海市浦东新区泥城镇云水路1000号
IPC主分类号：
H01L21205
IPC分类号：
代理机构：
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人：
张敏
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-07-23 公开 公开
2021-08-10 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20210412
共 50 条
[1]
低温多晶硅薄膜的制备方法 [P]. 
彭思君 ;
吴建宏 ;
刘冲 ;
严晓龙 .
中国专利 :CN104167349A ,2014-11-26
[2]
多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法 [P]. 
魏星 ;
徐洪涛 ;
陈猛 ;
高楠 ;
苏鑫 .
中国专利 :CN110444467A ,2019-11-12
[3]
柔性石墨衬底多晶硅薄膜的制备方法 [P]. 
陈吉堃 .
中国专利 :CN101478018A ,2009-07-08
[4]
多晶硅半导体薄膜衬底的制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111755321A ,2020-10-09
[5]
多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法 [P]. 
魏星 ;
徐洪涛 ;
陈猛 ;
高楠 ;
苏鑫 .
中国专利 :CN110400743A ,2019-11-01
[6]
多晶硅薄膜的制备方法 [P]. 
江润峰 ;
孙天拓 .
中国专利 :CN104217940A ,2014-12-17
[7]
多晶硅薄膜的制备方法 [P]. 
张进 .
中国专利 :CN108987247A ,2018-12-11
[8]
多晶硅薄膜的制备方法 [P]. 
范建国 ;
季峰强 ;
董智刚 ;
黄柏喻 .
中国专利 :CN101290877A ,2008-10-22
[9]
多晶硅薄膜的制备方法 [P]. 
何永根 ;
陈旺 .
中国专利 :CN101307488B ,2008-11-19
[10]
多晶硅薄膜的制备方法 [P]. 
赵淑云 ;
郭海成 ;
王文 .
中国专利 :CN102956499A ,2013-03-06
12345