多晶硅薄膜的沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911359170.8

申请日：

2019-12-25

公开(公告)号：

CN111048416A

公开(公告)日：

2020-04-21

发明(设计)人：

聂广宇

申请人：

申请人地址：

201315 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

H01L21285 H01L21768 C30B2814 C30B2906

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3205 申请日:20191225
2020-04-21	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅薄膜的沉积方法 [P].

顾武强 ;

姜波 ;

张凌越 .

中国专利 :CN109778141A ,2019-05-21

[2]

多晶硅接触薄膜的沉积方法 [P].

李相遇 ;

安重镒 ;

金成基 ;

熊文娟 ;

蒋浩杰 ;

李亭亭 ;

崔恒玮 ;

罗英 .

中国专利 :CN114743972A ,2022-07-12

[3]

一种多晶硅薄膜的沉积方法 [P].

郭帅 ;

吴俊 ;

王家友 .

中国专利 :CN107488836B ,2017-12-19

[4]

多晶硅薄膜沉积系统及方法 [P].

郭帅 ;

王秉国 ;

吴功莲 ;

蒲浩 ;

潘国卫 .

中国专利 :CN110592666A ,2019-12-20

[5]

沉积多晶硅的方法 [P].

K·黑塞 ;

F·施赖德尔 .

中国专利 :CN101487139B ,2009-07-22

[6]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

范建国 ;

季峰强 ;

董智刚 ;

黄柏喻 .

中国专利 :CN101290877A ,2008-10-22

[7]

一种多晶硅薄膜的沉积方法 [P].

赵星 .

中国专利 :CN105097458A ,2015-11-25

[8]

一种沉积多晶硅薄膜的方法 [P].

叶剑虹 ;

曲利国 .

中国专利 :CN111834207A ,2020-10-27

[9]

多晶硅薄膜 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN202058744U ,2011-11-30

[10]

用于沉积多晶硅的方法 [P].

芭芭拉·米勒 ;

托马斯·科克 .

中国专利 :CN104918883A ,2015-09-16

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