一种沉积多晶硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910325184.1

申请日：

2019-04-22

公开(公告)号：

CN111834207A

公开(公告)日：

2020-10-27

发明(设计)人：

叶剑虹曲利国

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535

代理人：

刘元霞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	公开	公开
2020-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20190422

共 50 条

[1]

多晶硅薄膜的沉积方法 [P].

顾武强 ;

姜波 ;

张凌越 .

中国专利 :CN109778141A ,2019-05-21

[2]

多晶硅薄膜的沉积方法 [P].

聂广宇 .

中国专利 :CN111048416A ,2020-04-21

[3]

一种多晶硅薄膜的沉积方法 [P].

赵星 .

中国专利 :CN105097458A ,2015-11-25

[4]

一种多晶硅薄膜的沉积方法 [P].

郭帅 ;

吴俊 ;

王家友 .

中国专利 :CN107488836B ,2017-12-19

[5]

多晶硅接触薄膜的沉积方法 [P].

李相遇 ;

安重镒 ;

金成基 ;

熊文娟 ;

蒋浩杰 ;

李亭亭 ;

崔恒玮 ;

罗英 .

中国专利 :CN114743972A ,2022-07-12

[6]

一种多晶硅沉积方法以及多晶硅沉积设备 [P].

吴俊 ;

王家友 ;

王秉国 ;

郁赛华 ;

蒲浩 .

中国专利 :CN107507761A ,2017-12-22

[7]

多晶硅薄膜沉积系统及方法 [P].

郭帅 ;

王秉国 ;

吴功莲 ;

蒲浩 ;

潘国卫 .

中国专利 :CN110592666A ,2019-12-20

[8]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[9]

多晶硅沉积的方法 [P].

G·克洛泽 ;

H·克劳斯 ;

T·魏斯 .

中国专利 :CN104981428B ,2015-10-14

[10]

一种多晶硅薄膜 [P].

黄宇华 ;

史亮亮 ;

赵淑云 .

中国专利 :CN202405264U ,2012-08-29

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