一种多晶硅沉积方法以及多晶硅沉积设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710772560.2

申请日：

2017-08-31

公开(公告)号：

CN107507761A

公开(公告)日：

2017-12-22

发明(设计)人：

吴俊王家友王秉国郁赛华蒲浩

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2711578

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王宝筠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-22	公开	公开
2018-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170831
2021-03-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20171222

共 50 条

[1]

多晶硅沉积炉 [P].

程佳彪 ;

茅陆荣 ;

郑飞龙 .

中国专利 :CN204607590U ,2015-09-02

[2]

多晶硅沉积制程 [P].

翟志刚 ;

李远哲 ;

陈鸿奎 .

中国专利 :CN101289739A ,2008-10-22

[3]

多晶硅沉积炉 [P].

程佳彪 ;

茅陆荣 ;

郑飞龙 .

中国专利 :CN105858665B ,2016-08-17

[4]

多晶硅沉积的方法 [P].

G·克洛泽 ;

H·克劳斯 ;

T·魏斯 .

中国专利 :CN104981428B ,2015-10-14

[5]

多晶硅沉积装置 [P].

朴钟薰 ;

金昇铉 ;

李旭基 ;

李昶徕 ;

姜承吾 ;

朴奎东 ;

张今相 .

中国专利 :CN103482629A ,2014-01-01

[6]

多晶硅沉积装置 [P].

柳浩正 ;

朴成殷 .

中国专利 :CN101919028A ,2010-12-15

[7]

多晶硅沉积装置 [P].

柳浩正 ;

朴成殷 .

中国专利 :CN102132380A ,2011-07-20

[8]

沉积多晶硅的方法 [P].

K·黑塞 ;

F·施赖德尔 .

中国专利 :CN101487139B ,2009-07-22

[9]

多晶硅薄膜的沉积方法 [P].

聂广宇 .

中国专利 :CN111048416A ,2020-04-21

[10]

用于沉积多晶硅的方法 [P].

芭芭拉·米勒 ;

托马斯·科克 .

中国专利 :CN104918883A ,2015-09-16

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