沉积多晶硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910001882.2

申请日：

2009-01-14

公开(公告)号：

CN101487139B

公开(公告)日：

2009-07-22

发明(设计)人：

K·黑塞 F·施赖德尔

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B2814 C01B33035

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

过晓东

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-09	授权	授权
2009-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-12-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20090114 授权公告日:20120509 终止日期:20210114
2009-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

用于沉积多晶硅的方法 [P].

米哈伊尔·索芬 .

中国专利 :CN103723732A ,2014-04-16

[2]

用于沉积多晶硅的方法 [P].

芭芭拉·米勒 ;

托马斯·科克 .

中国专利 :CN104918883A ,2015-09-16

[3]

多晶硅沉积的方法 [P].

G·克洛泽 ;

H·克劳斯 ;

T·魏斯 .

中国专利 :CN104981428B ,2015-10-14

[4]

多晶硅薄膜的沉积方法 [P].

聂广宇 .

中国专利 :CN111048416A ,2020-04-21

[5]

多晶硅沉积装置 [P].

柳浩正 ;

朴成殷 .

中国专利 :CN101919028A ,2010-12-15

[6]

多晶硅沉积装置 [P].

柳浩正 ;

朴成殷 .

中国专利 :CN102132380A ,2011-07-20

[7]

用于沉积多晶硅的装置和方法 [P].

米哈伊尔·索芬 .

中国专利 :CN103058196A ,2013-04-24

[8]

直接沉积多晶硅的方法 [P].

王亮棠 ;

陈麒麟 ;

彭逸轩 ;

张荣芳 ;

黄志仁 .

中国专利 :CN1962936A ,2007-05-16

[9]

用于生产多晶硅的方法 [P].

沃尔特·哈克尔 ;

芭芭拉·米勒 ;

罗伯特·林 .

中国专利 :CN102862987A ,2013-01-09

[10]

多晶硅薄膜的沉积方法 [P].

顾武强 ;

姜波 ;

张凌越 .

中国专利 :CN109778141A ,2019-05-21

← 1 2 3 4 5 →