用于沉积多晶硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310414982.4

申请日：

2013-09-12

公开(公告)号：

CN103723732A

公开(公告)日：

2014-04-16

发明(设计)人：

米哈伊尔·索芬

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

C01B33035

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;张英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-20	授权	授权
2019-09-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/035 申请日:20130912 授权公告日:20160120 终止日期:20180912
2014-04-16	公开	公开
2014-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582225451 IPC(主分类):C01B 33/035 专利申请号:2013104149824 申请日:20130912

共 50 条

[1]

用于沉积多晶硅的方法 [P].

芭芭拉·米勒 ;

托马斯·科克 .

中国专利 :CN104918883A ,2015-09-16

[2]

沉积多晶硅的方法 [P].

K·黑塞 ;

F·施赖德尔 .

中国专利 :CN101487139B ,2009-07-22

[3]

多晶硅棒和用于生产多晶硅的方法 [P].

米哈伊尔·索芬 ;

埃里克·多恩贝格尔 ;

赖纳·佩什 .

中国专利 :CN104010969B ,2014-08-27

[4]

用于生产多晶硅的方法 [P].

芭芭拉·米勒 ;

沃尔特·哈克尔 ;

沃尔夫冈·施托伊贝尔 .

中国专利 :CN105579395A ,2016-05-11

[5]

用于沉积多晶硅的装置和方法 [P].

米哈伊尔·索芬 .

中国专利 :CN103058196A ,2013-04-24

[6]

多晶硅沉积的方法 [P].

G·克洛泽 ;

H·克劳斯 ;

T·魏斯 .

中国专利 :CN104981428B ,2015-10-14

[7]

多晶硅的制造方法 [P].

小田开行 ;

浅野卓也 .

中国专利 :CN102272047A ,2011-12-07

[8]

用于生产多晶硅的方法 [P].

沃尔特·哈克尔 ;

芭芭拉·米勒 ;

罗伯特·林 .

中国专利 :CN102862987A ,2013-01-09

[9]

用于生产多晶硅的方法 [P].

P·伯尼施 ;

P·菲拉尔 .

中国专利 :CN114026044A ,2022-02-08

[10]

用于生产多晶硅的方法 [P].

哈拉尔德·赫特莱因 ;

弗里德里希·波普 .

中国专利 :CN105980304A ,2016-09-28

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