在铝酸镁衬底上高质量锌极性ZnO单晶薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510069276.6

申请日：

2005-05-16

公开(公告)号：

CN1670919A

公开(公告)日：

2005-09-21

发明(设计)人：

杜小龙薛其坤贾金锋曾兆权袁洪涛张泽刘玉资黄敏菊郑浩

申请人：

申请人地址：

100080北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

北京中创阳光知识产权代理有限责任公司

代理人：

尹振启

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-09-21	公开	公开
2012-07-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101289310658 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL2005100692766 申请日:20050516 授权公告日:20070725 终止日期:20110516
2005-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-07-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种在铝酸镁衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法 [P].

杜小龙 ;

薛其坤 ;

贾金锋 ;

曾兆权 ;

袁洪涛 ;

英敏菊 ;

郑浩 .

中国专利 :CN1664988A ,2005-09-07

[2]

一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法 [P].

梅增霞 ;

梁会力 ;

梁爽 ;

刘章龙 ;

李俊强 ;

侯尧楠 ;

刘尧平 ;

崔秀芝 ;

张生利 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN101834127A ,2010-09-15

[3]

在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法 [P].

汤琨 ;

朱顺明 ;

顾然 ;

顾书林 ;

叶建东 ;

黄时敏 ;

姚峥嵘 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN104790033A ,2015-07-22

[4]

一种在Si(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法 [P].

杜小龙 ;

王喜娜 ;

曾兆权 ;

袁洪涛 ;

梅增霞 ;

薛其坤 ;

贾金锋 .

中国专利 :CN100422394C ,2007-02-14

[5]

在(La,Sr)(Al,Ta)O3上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法 [P].

杜小龙 ;

薛其坤 ;

英敏菊 ;

梅增霞 ;

曾兆权 ;

郑浩 .

中国专利 :CN1588631A ,2005-03-02

[6]

一种Si衬底上高质量AlN薄膜材料的制备方法 [P].

杨学林 ;

沈波 ;

陈正昊 ;

吴俊慷 ;

蔡子东 ;

杨鸿才 ;

郭富强 .

中国专利 :CN118127637A ,2024-06-04

[7]

一种制备高质量ZnO材料的方法 [P].

朱顺明 ;

印杰 ;

顾书林 ;

叶建东 ;

汤琨 ;

黄时敏 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN103938183A ,2014-07-23

[8]

在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法 [P].

江风益 ;

邵碧琳 ;

王立 ;

方文卿 .

中国专利 :CN1801500A ,2006-07-12

[9]

一种高质量锡酸锌单晶薄膜及其制备方法 [P].

马瑾 ;

栾彩娜 ;

何林安 .

中国专利 :CN110172733A ,2019-08-27

[10]

在ZnO纳米线表面低温外延生长高质量GaN薄膜的方法 [P].

马宏平 ;

侯欣蓝 ;

张园览 ;

吴帆正树 .

中国专利 :CN112853319A ,2021-05-28

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