一种半导体二极管电镀处理系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810569019.6

申请日：

2018-06-05

公开(公告)号：

CN108796592A

公开(公告)日：

2018-11-13

发明(设计)人：

陈涛

申请人：

申请人地址：

214432 江苏省无锡市江阴市澄江东路99号江阴长江电子实业有限公司

IPC主分类号：

C25D1718

IPC分类号：

C25D520 C25D712 C25D2110

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-23	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C25D 17/18 登记生效日:20190704 变更事项:申请人变更前权利人:陈涛变更后权利人:吉林瑞能半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:214432 江苏省无锡市江阴市澄江东路99号江阴长江电子实业有限公司变更后权利人:132011 吉林省吉林市高新区深圳街99号
2018-11-13	公开	公开
2018-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 17/18 申请日:20180605
2019-08-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体二极管电镀处理系统 [P].

江俊 .

中国专利 :CN110592634A ,2019-12-20

[2]

一种半导体二极管电镀处理装置 [P].

李洪宾 ;

潘小庆 .

中国专利 :CN216107284U ,2022-03-22

[3]

一种半导体二极管酸洗处理系统 [P].

陈涛 .

中国专利 :CN108766911B ,2018-11-06

[4]

一种半导体二极管生产工艺 [P].

陈涛 .

中国专利 :CN108677244B ,2018-10-19

[5]

半导体二极管 [P].

杨明宗 ;

李东兴 .

中国专利 :CN102842621A ,2012-12-26

[6]

半导体二极管 [P].

H-J·舒尔策 ;

J·G·拉文 ;

R·巴布斯克 .

中国专利 :CN105006489B ,2015-10-28

[7]

半导体二极管 [P].

叶惠东 .

中国专利 :CN204966507U ,2016-01-13

[8]

半导体二极管 [P].

W·克勒 .

中国专利 :CN1283309A ,2001-02-07

[9]

半导体二极管 [P].

陈硕懋 .

中国专利 :CN101582457A ,2009-11-18

[10]

一种半导体二极管成型系统 [P].

陈欣洁 ;

张家俊 .

中国专利 :CN108748748B ,2018-11-06

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