用于在基材上制备多功能介电层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110048655.2

申请日：

2004-09-03

公开(公告)号：

CN102157440A

公开(公告)日：

2011-08-17

发明(设计)人：

J·赫尔内德 M·施维尔德 T·格贝尔 A·米切尔 H·克尔纳 M·霍梅尔

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23522 H01L23532

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

韦欣华;林毅斌

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101726249893 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011100486552 申请公布日:20110817
2011-08-17	公开	公开
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101113915889 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011100486552 申请日:20040903

共 50 条

[1]

用于在基材上制备多功能介电层的方法 [P].

J·赫尔内德 ;

M·施维尔德 ;

T·格贝尔 ;

A·米切尔 ;

H·克尔纳 ;

M·霍梅尔 .

中国专利 :CN1856876A ,2006-11-01

[2]

在平滑衬底上形成高-K介电层 [P].

贾斯廷·布拉斯克 ;

杰克·卡瓦列罗斯 ;

马克·多齐 ;

马修·梅茨 ;

苏曼·达塔 ;

乌代·沙阿 ;

吉尔伯特·杜威 ;

罗伯特·赵 .

中国专利 :CN100582296C ,2007-05-09

[3]

在基材上沉积抗反射层的方法 [P].

格拉尔杜斯·阿本 ;

德·龙尼·伯纳德斯·玛丽亚·里克 ;

帕特里克·威廉默斯·安东尼厄·韦瑞嘉德豪温 .

中国专利 :CN103370286A ,2013-10-23

[4]

介电层以及形成此介电层之组合物及方法 [P].

林蔚伶 ;

林鹏 ;

胡堂祥 ;

陈良湘 .

中国专利 :CN101009223A ,2007-08-01

[5]

在闪存装置的栅极间形成介电层的方法 [P].

朴相昱 .

中国专利 :CN1691312A ,2005-11-02

[6]

包括芯材和至少一层介电层的颜料的制备方法 [P].

R·熊 ;

S·D·帕斯托尔 ;

P·布亚德 .

中国专利 :CN100528975C ,2006-08-30

[7]

形成栅极介电层的方法 [P].

尹哲镇 .

中国专利 :CN100477167C ,2007-06-20

[8]

栅介电层的制造方法 [P].

黄同隽 ;

蔡世鸿 ;

冯立伟 ;

郑志祥 .

中国专利 :CN107305842A ,2017-10-31

[9]

栅介电层的刻蚀方法 [P].

陈洁 ;

张朔熙 ;

钱凯 .

中国专利 :CN119486250A ,2025-02-18

[10]

制作栅极介电层的方法 [P].

刘传玺 ;

林秀珊 ;

林于尹 ;

潘同明 ;

黄国泰 .

中国专利 :CN1312737C ,2003-03-12

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