栅介电层的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411622762.5

申请日：

2024-11-13

公开(公告)号：

CN119486250A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

陈洁张朔熙钱凯

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20241113
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

栅介电层的制造方法 [P].

黄同隽 ;

蔡世鸿 ;

冯立伟 ;

郑志祥 .

中国专利 :CN107305842A ,2017-10-31

[2]

缓冲层的刻蚀方法 [P].

郭海亮 ;

赵志 ;

汪健 ;

王玉新 ;

赵雁雁 ;

季凡 .

中国专利 :CN120280341A ,2025-07-08

[3]

形成栅极介电层的方法 [P].

尹哲镇 .

中国专利 :CN100477167C ,2007-06-20

[4]

栅极介电层的制作方法 [P].

苏国辉 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102760655A ,2012-10-31

[5]

闸介电层的制作方法 [P].

苏国辉 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102760658A ,2012-10-31

[6]

金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法 [P].

任婷婷 ;

姚道州 ;

杨鑫 ;

杜保田 ;

王华勇 ;

陈诺 ;

惠科石 ;

王玉新 .

中国专利 :CN120302739A ,2025-07-11

[7]

介电层的制造方法 [P].

史望澄 ;

彭冠杰 ;

赵兰璘 .

中国专利 :CN1284745A ,2001-02-21

[8]

高介电层金属栅器件的制造方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN103779280A ,2014-05-07

[9]

制作栅极介电层的方法 [P].

刘传玺 ;

林秀珊 ;

林于尹 ;

潘同明 ;

黄国泰 .

中国专利 :CN1312737C ,2003-03-12

[10]

金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法 [P].

李永亮 ;

徐秋霞 .

中国专利 :CN102386076B ,2012-03-21

← 1 2 3 4 5 →