缓冲层的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510293729.0

申请日：

2025-03-12

公开(公告)号：

CN120280341A

公开(公告)日：

2025-07-08

发明(设计)人：

郭海亮赵志汪健王玉新赵雁雁季凡

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/311

IPC分类号：

H01L21/02

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/311申请日:20250312
2025-07-08	公开	公开

共 50 条

[1]

掩膜层的刻蚀方法、刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法 [P].

凯文皮尔斯 .

中国专利 :CN102543687B ,2012-07-04

[2]

栅介电层的刻蚀方法 [P].

陈洁 ;

张朔熙 ;

钱凯 .

中国专利 :CN119486250A ,2025-02-18

[3]

金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法 [P].

任婷婷 ;

姚道州 ;

杨鑫 ;

杜保田 ;

王华勇 ;

陈诺 ;

惠科石 ;

王玉新 .

中国专利 :CN120302739A ,2025-07-11

[4]

钝化层的刻蚀方法 [P].

陆聪 ;

冯超 ;

朱金妹 .

中国专利 :CN120015625A ,2025-05-16

[5]

层间介质层的刻蚀方法 [P].

戴鸿冉 .

中国专利 :CN110071110A ,2019-07-30

[6]

顶层金属层沟槽的刻蚀方法 [P].

张城龙 ;

胡敏达 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103515222A ,2014-01-15

[7]

层间介质层及其层内接触孔的刻蚀方法 [P].

李健 .

中国专利 :CN106531685B ,2017-03-22

[8]

原子层刻蚀设备及刻蚀方法 [P].

赵晓丽 .

中国专利 :CN110718440B ,2020-01-21

[9]

含碳层的刻蚀方法 [P].

埃文·皮尔斯 .

中国专利 :CN101483135A ,2009-07-15

[10]

接触孔的刻蚀方法 [P].

张文文 ;

丁佳 ;

王玉新 ;

陈志远 ;

张淑婷 .

中国专利 :CN118156220A ,2024-06-07

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