接触孔的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410186925.3

申请日：

2024-02-19

公开(公告)号：

CN118156220A

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

张文文丁佳王玉新陈志远张淑婷

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/311 C09K13/00

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

崔莹

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-07	公开	公开
2024-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20240219

共 50 条

[1]

接触孔的刻蚀方法 [P].

吴敏 ;

杨渝书 ;

李程 .

中国专利 :CN103400799B ,2013-11-20

[2]

接触孔和接触孔的刻蚀方法 [P].

王新鹏 ;

张海洋 .

中国专利 :CN102097359A ,2011-06-15

[3]

接触孔的刻蚀方法 [P].

施洋 .

中国专利 :CN107808822A ,2018-03-16

[4]

接触孔的刻蚀方法 [P].

黄志刚 .

中国专利 :CN102403218A ,2012-04-04

[5]

接触孔的刻蚀方法 [P].

黄敬勇 ;

张海洋 ;

何其暘 .

中国专利 :CN104701242A ,2015-06-10

[6]

接触孔的刻蚀方法 [P].

王民涛 ;

李杰 ;

汪德文 ;

魏国栋 ;

刘玮 ;

杨坤进 .

中国专利 :CN103050438A ,2013-04-17

[7]

接触孔刻蚀方法 [P].

李程 ;

吴敏 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN103681477A ,2014-03-26

[8]

改善接触孔过刻蚀的方法 [P].

张方方 ;

贺可强 ;

张磊 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN115000008A ,2022-09-02

[9]

改善接触孔过刻蚀的方法 [P].

张方方 ;

贺可强 ;

张磊 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN115000008B ,2025-07-18

[10]

层间介质层及其层内接触孔的刻蚀方法 [P].

李健 .

中国专利 :CN106531685B ,2017-03-22

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