钝化层的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510213694.5

申请日：

2025-02-25

公开(公告)号：

CN120015625A

公开(公告)日：

2025-05-16

发明(设计)人：

陆聪冯超朱金妹

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/3213

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3213申请日:20250225
2025-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

防止钝化层过刻蚀的方法 [P].

李博 ;

申华军 ;

白云 ;

汤益丹 ;

刘焕明 ;

周静涛 ;

杨成樾 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN103021840A ,2013-04-03

[2]

掩膜层的刻蚀方法、刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法 [P].

凯文皮尔斯 .

中国专利 :CN102543687B ,2012-07-04

[3]

钝化层干法刻蚀方法 [P].

孙武 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN102054685B ,2011-05-11

[4]

顶部钝化层的刻蚀方法及半导体器件 [P].

王延强 ;

罗来青 .

中国专利 :CN118507342A ,2024-08-16

[5]

缓冲层的刻蚀方法 [P].

郭海亮 ;

赵志 ;

汪健 ;

王玉新 ;

赵雁雁 ;

季凡 .

中国专利 :CN120280341A ,2025-07-08

[6]

层间介质层的刻蚀方法 [P].

戴鸿冉 .

中国专利 :CN110071110A ,2019-07-30

[7]

钝化层的刻蚀方法、半导体结构 [P].

汝伟亮 ;

刘纵曙 ;

邹海华 ;

张慧敏 ;

翟卫霆 .

中国专利 :CN118571793A ,2024-08-30

[8]

基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法 [P].

王健军 ;

江蔼庭 ;

王青 ;

赵风春 .

中国专利 :CN113725723A ,2021-11-30

[9]

顶层金属层沟槽的刻蚀方法 [P].

张城龙 ;

胡敏达 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103515222A ,2014-01-15

[10]

钝化层结构及其形成方法、刻蚀方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN103378128A ,2013-10-30

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