防止钝化层过刻蚀的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110284796.4

申请日：

2011-09-23

公开(公告)号：

CN103021840A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

李博申华军白云汤益丹刘焕明周静涛杨成樾刘新宇

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

宋焰琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448951865 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2011102847964 申请日:20110923
2013-04-03	公开	公开
2015-11-04	授权	授权

共 50 条

[1]

钝化层的刻蚀方法 [P].

陆聪 ;

冯超 ;

朱金妹 .

中国专利 :CN120015625A ,2025-05-16

[2]

一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法 [P].

韩超 ;

刘智 ;

赵晓非 ;

唐红梅 ;

王毅 .

中国专利 :CN117637469A ,2024-03-01

[3]

钝化层干法刻蚀方法 [P].

孙武 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN102054685B ,2011-05-11

[4]

HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法 [P].

金迎春 ;

刘斌 ;

周文洪 ;

黄立 .

中国专利 :CN108682622A ,2018-10-19

[5]

掩膜层的刻蚀方法、刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法 [P].

凯文皮尔斯 .

中国专利 :CN102543687B ,2012-07-04

[6]

基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法 [P].

王健军 ;

江蔼庭 ;

王青 ;

赵风春 .

中国专利 :CN113725723A ,2021-11-30

[7]

钝化层结构及其形成方法、刻蚀方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN103378128A ,2013-10-30

[8]

顶部钝化层的刻蚀方法及半导体器件 [P].

王延强 ;

罗来青 .

中国专利 :CN118507342A ,2024-08-16

[9]

一种减少掺杂层损伤的金属层刻蚀方法 [P].

徐云霞 .

中国专利 :CN120895471A ,2025-11-04

[10]

钝化层的制作方法及芯片结构 [P].

盛东洋 ;

杨然翔 ;

王沛占 ;

王怀超 .

中国专利 :CN113451452A ,2021-09-28

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