钝化层结构及其形成方法、刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210113566.6

申请日：

2012-04-17

公开(公告)号：

CN103378128A

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

张海洋张城龙

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21316 H01L21318 H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-30	公开	公开
2017-01-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101745406296 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2012101135666 申请公布日:20131030
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101545325120 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2012101135666 申请日:20120417

共 50 条

[1]

刻蚀停止层、双镶嵌结构及其形成方法 [P].

蔡明 .

中国专利 :CN101447472B ,2009-06-03

[2]

硅化物阻止层刻蚀方法、通孔刻蚀停止层形成方法 [P].

俞柳江 .

中国专利 :CN102437051A ,2012-05-02

[3]

掩膜层的形成方法及刻蚀方法 [P].

徐载景 ;

张迎春 .

中国专利 :CN102097362A ,2011-06-15

[4]

钝化层的刻蚀方法 [P].

陆聪 ;

冯超 ;

朱金妹 .

中国专利 :CN120015625A ,2025-05-16

[5]

钝化层的刻蚀方法、半导体结构 [P].

汝伟亮 ;

刘纵曙 ;

邹海华 ;

张慧敏 ;

翟卫霆 .

中国专利 :CN118571793A ,2024-08-30

[6]

半导体结构的刻蚀方法和金属互连层的形成方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN101640174B ,2010-02-03

[7]

氧化硅层的刻蚀方法、MEMS器件及其形成方法 [P].

魏丹珠 ;

代丹 ;

刘双娟 ;

周凯 ;

黄志诚 ;

石杰 .

中国专利 :CN111453695B ,2020-07-28

[8]

防止钝化层过刻蚀的方法 [P].

李博 ;

申华军 ;

白云 ;

汤益丹 ;

刘焕明 ;

周静涛 ;

杨成樾 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN103021840A ,2013-04-03

[9]

硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法 [P].

安辉 .

中国专利 :CN101441996B ,2009-05-27

[10]

刻蚀图形的形成方法 [P].

郭国超 .

中国专利 :CN101964307A ,2011-02-02

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