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氧化硅层的刻蚀方法、MEMS器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010545252.8
申请日：
2020-06-16
公开(公告)号：
CN111453695B
公开(公告)日：
2020-07-28
发明(设计)人：
魏丹珠
代丹
刘双娟
周凯
黄志诚
石杰
申请人：
申请人地址：
312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
IPC主分类号：
B81C100
IPC分类号：
B81B700
B81B702
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
曹廷廷
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-07-28 | 公开 | 公开 |
| 2021-08-17 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):B81C 1/00 变更事项:专利权人 变更前:中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 变更后:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 变更事项:地址 变更前:312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号 变更后:312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号 |
| 2022-07-19 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):B81C 1/00 登记生效日:20220706 变更事项:专利权人 变更前权利人:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 变更后权利人:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号 变更后权利人:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号 变更事项:专利权人 变更后权利人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 2020-08-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20200616 |
| 2020-10-16 | 授权 | 授权 |