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MEMS器件及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201210556596.4
申请日
:
2012-12-20
公开(公告)号
:
CN103193193A
公开(公告)日
:
2013-07-10
发明(设计)人
:
梁凯智
朱家骅
李德浩
李久康
林宗贤
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹
IPC主分类号
:
B81C100
IPC分类号
:
B81C300
B81B700
代理机构
:
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
:
章社杲;孙征
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2013-08-07
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101503523975 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2012105565964 申请日:20121220
2013-07-10
公开
公开
2016-03-30
授权
授权
共 50 条
[1]
MEMS器件结构及其形成方法
[P].
张嘉诚
论文数:
0
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0
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张嘉诚
;
范成至
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范成至
;
周正三
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周正三
.
中国专利
:CN103373695B
,2013-10-30
[2]
MEMS器件及MEMS器件形成方法
[P].
朱家骅
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朱家骅
;
郑钧文
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郑钧文
;
李德浩
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李德浩
;
林宗贤
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0
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林宗贤
.
中国专利
:CN103569937A
,2014-02-12
[3]
MEMS器件及其形成方法
[P].
徐伟
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徐伟
;
刘国安
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刘国安
.
中国专利
:CN104944359B
,2015-09-30
[4]
MEMS器件及其形成方法
[P].
辛淼
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辛淼
;
许继辉
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许继辉
;
刘国安
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刘国安
;
张兆林
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张兆林
.
中国专利
:CN113460956A
,2021-10-01
[5]
MEMS器件及其形成方法
[P].
辛淼
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机构:
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
辛淼
;
许继辉
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机构:
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
许继辉
;
刘国安
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机构:
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
刘国安
;
张兆林
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机构:
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
张兆林
.
中国专利
:CN113460956B
,2024-05-24
[6]
MEMS器件及其形成方法
[P].
冯霞
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冯霞
;
黄河
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黄河
;
刘煊杰
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刘煊杰
;
张海芳
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张海芳
.
中国专利
:CN104609358A
,2015-05-13
[7]
MEMS器件及其形成方法
[P].
刘育嘉
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刘育嘉
;
朱家骅
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朱家骅
;
彭荣辉
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彭荣辉
;
张贵松
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张贵松
;
郑钧文
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郑钧文
.
中国专利
:CN104340953B
,2015-02-11
[8]
MEMS器件及其形成方法
[P].
张城龙
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张城龙
;
何其暘
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何其暘
.
中国专利
:CN104697702A
,2015-06-10
[9]
MEMS器件及其形成方法
[P].
阮炯明
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阮炯明
;
张冬平
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张冬平
.
中国专利
:CN105523519A
,2016-04-27
[10]
MEMS器件及其形成方法
[P].
郑晨焱
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郑晨焱
;
张挺
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0
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张挺
.
中国专利
:CN102303844A
,2012-01-04
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