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MEMS器件及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201110233506.3
申请日
:
2011-08-15
公开(公告)号
:
CN102303844A
公开(公告)日
:
2012-01-04
发明(设计)人
:
郑晨焱
张挺
申请人
:
申请人地址
:
200233 上海市徐汇区虹漕路385号
IPC主分类号
:
B81C100
IPC分类号
:
B81B100
代理机构
:
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
:
陆嘉
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2012-01-04
公开
公开
2012-02-22
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101190909954 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2011102335063 申请日:20110815
2014-07-09
授权
授权
共 50 条
[1]
MEMS器件及其形成方法
[P].
阮炯明
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阮炯明
;
张冬平
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张冬平
.
中国专利
:CN105523519A
,2016-04-27
[2]
MEMS器件形成方法
[P].
谢红梅
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谢红梅
;
许继辉
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许继辉
;
于佳
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于佳
;
汪新学
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汪新学
;
赵洪波
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赵洪波
.
中国专利
:CN104445049B
,2015-03-25
[3]
MEMS器件及其形成方法
[P].
徐伟
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徐伟
;
刘国安
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刘国安
.
中国专利
:CN104944359B
,2015-09-30
[4]
MEMS器件及其形成方法
[P].
辛淼
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辛淼
;
许继辉
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许继辉
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刘国安
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刘国安
;
张兆林
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张兆林
.
中国专利
:CN113460956A
,2021-10-01
[5]
MEMS器件及其形成方法
[P].
辛淼
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机构:
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
辛淼
;
许继辉
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机构:
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
许继辉
;
刘国安
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机构:
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
刘国安
;
张兆林
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机构:
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
张兆林
.
中国专利
:CN113460956B
,2024-05-24
[6]
MEMS器件及其形成方法
[P].
冯霞
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冯霞
;
黄河
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黄河
;
刘煊杰
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刘煊杰
;
张海芳
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张海芳
.
中国专利
:CN104609358A
,2015-05-13
[7]
MEMS器件及其形成方法
[P].
刘育嘉
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刘育嘉
;
朱家骅
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朱家骅
;
彭荣辉
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彭荣辉
;
张贵松
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张贵松
;
郑钧文
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郑钧文
.
中国专利
:CN104340953B
,2015-02-11
[8]
MEMS器件及其形成方法
[P].
梁凯智
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梁凯智
;
朱家骅
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朱家骅
;
李德浩
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李德浩
;
李久康
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李久康
;
林宗贤
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林宗贤
.
中国专利
:CN103193193A
,2013-07-10
[9]
MEMS器件及其形成方法
[P].
张城龙
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张城龙
;
何其暘
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何其暘
.
中国专利
:CN104697702A
,2015-06-10
[10]
MEMS器件及其形成方法
[P].
徐伟
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徐伟
;
刘国安
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刘国安
.
中国专利
:CN104944360A
,2015-09-30
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