硅化物阻止层刻蚀方法、通孔刻蚀停止层形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110379533.1

申请日：

2011-11-24

公开(公告)号：

CN102437051A

公开(公告)日：

2012-05-02

发明(设计)人：

俞柳江

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

陆花

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101272514181 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2011103795331 申请日:20111124
2012-05-02	公开	公开
2014-12-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101708156051 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2011103795331 申请公布日:20120502

共 50 条

[1]

改进双重通孔刻蚀停止层交叠区域通孔刻蚀的方法 [P].

俞柳江 .

中国专利 :CN102446819A ,2012-05-09

[2]

改进双重通孔刻蚀停止层交叠区通孔刻蚀的方法 [P].

俞柳江 .

中国专利 :CN102437094B ,2012-05-02

[3]

刻蚀停止层、具有通孔的半导体器件及其形成方法 [P].

尹晓明 ;

孙武 ;

周鸣 .

中国专利 :CN101572252A ,2009-11-04

[4]

刻蚀停止层、具有通孔的半导体器件及其形成方法 [P].

黄立恒 ;

路志忠 .

中国专利 :CN101459058B ,2009-06-17

[5]

改进双重通孔刻蚀停止层交叠区通孔刻蚀的方法及其器件 [P].

俞柳江 .

中国专利 :CN102437048B ,2012-05-02

[6]

刻蚀停止层、双镶嵌结构及其形成方法 [P].

蔡明 .

中国专利 :CN101447472B ,2009-06-03

[7]

钝化层结构及其形成方法、刻蚀方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN103378128A ,2013-10-30

[8]

双接触孔刻蚀停止层的制备方法 [P].

雷通 ;

邱裕明 .

中国专利 :CN104241119A ,2014-12-24

[9]

刻蚀形成硅通孔的方法与硅通孔刻蚀装置 [P].

李俊良 ;

倪图强 .

中国专利 :CN106298498A ,2017-01-04

[10]

掩膜层的形成方法及刻蚀方法 [P].

徐载景 ;

张迎春 .

中国专利 :CN102097362A ,2011-06-15

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