改进双重通孔刻蚀停止层交叠区通孔刻蚀的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110235240.6

申请日：

2011-08-17

公开(公告)号：

CN102437094B

公开(公告)日：

2012-05-02

发明(设计)人：

俞柳江

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

上海新天专利代理有限公司 31213

代理人：

王敏杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-02	公开	公开
2013-12-04	授权	授权
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101272512085 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011102352406 申请日:20110817

共 50 条

[1]

改进双重通孔刻蚀停止层交叠区域通孔刻蚀的方法 [P].

俞柳江 .

中国专利 :CN102446819A ,2012-05-09

[2]

改进双重通孔刻蚀停止层交叠区通孔刻蚀的方法及其器件 [P].

俞柳江 .

中国专利 :CN102437048B ,2012-05-02

[3]

硅化物阻止层刻蚀方法、通孔刻蚀停止层形成方法 [P].

俞柳江 .

中国专利 :CN102437051A ,2012-05-02

[4]

通孔刻蚀方法 [P].

康劲 .

中国专利 :CN101777511A ,2010-07-14

[5]

通孔刻蚀方法 [P].

元琳 ;

高颖 ;

刘玉丽 .

中国专利 :CN100517604C ,2008-06-11

[6]

通孔刻蚀方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN101140882A ,2008-03-12

[7]

通孔刻蚀方法 [P].

韩秋华 ;

杜珊珊 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN101673681A ,2010-03-17

[8]

通孔刻蚀方法 [P].

池玟霆 ;

刘选军 ;

喻涛 ;

祝长春 .

中国专利 :CN102237296A ,2011-11-09

[9]

通孔刻蚀方法 [P].

张嵩松 ;

王磊 .

中国专利 :CN118992965A ,2024-11-22

[10]

通孔刻蚀方法 [P].

程卫华 ;

叶彬 ;

曾红林 .

中国专利 :CN101207036A ,2008-06-25

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