基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110826233.7

申请日：

2021-07-21

公开(公告)号：

CN113725723A

公开(公告)日：

2021-11-30

发明(设计)人：

王健军江蔼庭王青赵风春

申请人：

申请人地址：

100020 北京市朝阳区佳汇国际中心B座1107

IPC主分类号：

H01S5042

IPC分类号：

H01S5183 H01S534

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

赵丽婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-30	公开	公开
2021-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/042 申请日:20210721

共 50 条

[1]

钝化层的刻蚀方法 [P].

陆聪 ;

冯超 ;

朱金妹 .

中国专利 :CN120015625A ,2025-05-16

[2]

防止钝化层过刻蚀的方法 [P].

李博 ;

申华军 ;

白云 ;

汤益丹 ;

刘焕明 ;

周静涛 ;

杨成樾 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN103021840A ,2013-04-03

[3]

钝化层干法刻蚀方法 [P].

孙武 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN102054685B ,2011-05-11

[4]

薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构 [P].

唐晓赫 ;

李仕俊 ;

常青松 ;

姜永娜 ;

袁彪 ;

刘晓红 ;

杨阳阳 ;

屈建洋 ;

韩宏远 ;

刘文涛 ;

董占红 ;

席红英 ;

侯小鹏 ;

梁楚楚 ;

安丽丽 .

中国专利 :CN112614808A ,2021-04-06

[5]

一种减少掺杂层损伤的金属层刻蚀方法 [P].

徐云霞 .

中国专利 :CN120895471A ,2025-11-04

[6]

钝化层的制作方法及芯片结构 [P].

盛东洋 ;

杨然翔 ;

王沛占 ;

王怀超 .

中国专利 :CN113451452A ,2021-09-28

[7]

掩膜层的刻蚀方法、刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法 [P].

凯文皮尔斯 .

中国专利 :CN102543687B ,2012-07-04

[8]

一种金属互连层刻蚀方法 [P].

张海洋 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN103021930B ,2013-04-03

[9]

HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法 [P].

金迎春 ;

刘斌 ;

周文洪 ;

黄立 .

中国专利 :CN108682622A ,2018-10-19

[10]

一种在聚酰亚胺层上刻蚀种子层的方法 [P].

邹树林 ;

刘逢春 ;

徐波 ;

施元军 ;

殷岚勇 .

中国专利 :CN118352307A ,2024-07-16

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