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金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510294119.2
申请日：
2025-03-12
公开(公告)号：
CN120302739A
公开(公告)日：
2025-07-11
发明(设计)人：
任婷婷 姚道州 杨鑫 杜保田 王华勇 陈诺 惠科石 王玉新
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司 华虹半导体制造（无锡）有限公司
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H10F39/18
IPC分类号：
H10F39/12 H01L21/311 H01L21/033
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
戴广志
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 无锡市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-11 公开 公开
2025-07-29 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/18申请日:20250312
共 50 条
[1]
金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法 [P]. 
任婷婷 ;
姚道州 ;
杨鑫 ;
杜保田 ;
王华勇 ;
陈诺 ;
惠科石 ;
王玉新 .
中国专利 :CN120302738A ,2025-07-11
[2]
背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法 [P]. 
张守龙 ;
任婷婷 ;
姚道州 ;
杨鑫 ;
杜保田 ;
汪健 ;
惠科石 ;
王玉新 ;
赵正元 .
中国专利 :CN119947287B ,2025-09-26
[3]
金属硬掩模开口刻蚀方法 [P]. 
张海洋 ;
张城龙 .
中国专利 :CN104157556A ,2014-11-19
[4]
背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法 [P]. 
张守龙 ;
任婷婷 ;
姚道州 ;
杨鑫 ;
杜保田 ;
汪健 ;
惠科石 ;
王玉新 ;
赵正元 .
中国专利 :CN119947287A ,2025-05-06
[5]
缓冲层的刻蚀方法 [P]. 
郭海亮 ;
赵志 ;
汪健 ;
王玉新 ;
赵雁雁 ;
季凡 .
中国专利 :CN120280341A ,2025-07-08
[6]
具有自掩模层的光掩模及其刻蚀方法 [P]. 
吴半秋 .
中国专利 :CN101144974A ,2008-03-19
[7]
栅介电层的刻蚀方法 [P]. 
陈洁 ;
张朔熙 ;
钱凯 .
中国专利 :CN119486250A ,2025-02-18
[8]
金属层的刻蚀方法 [P]. 
梅娜 ;
王重阳 .
中国专利 :CN101882596A ,2010-11-10
[9]
金属硬掩模的制造 [P]. 
林思宏 ;
吴林荣 ;
杨琪铭 ;
林进祥 .
中国专利 :CN103199007A ,2013-07-10
[10]
薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构 [P]. 
唐晓赫 ;
李仕俊 ;
常青松 ;
姜永娜 ;
袁彪 ;
刘晓红 ;
杨阳阳 ;
屈建洋 ;
韩宏远 ;
刘文涛 ;
董占红 ;
席红英 ;
侯小鹏 ;
梁楚楚 ;
安丽丽 .
中国专利 :CN112614808A ,2021-04-06
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