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半导体元件及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201610472312.1
申请日
:
2016-06-24
公开(公告)号
:
CN107546119A
公开(公告)日
:
2018-01-05
发明(设计)人
:
林昭宏
蔡世鸿
郑志祥
洪裕祥
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹市新竹科学工业园区
IPC主分类号
:
H01L2128
IPC分类号
:
H01L29423
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
陈小雯
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-01-05
公开
公开
2019-05-31
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20160624
共 50 条
[1]
半导体元件及其制作方法
[P].
李一凡
论文数:
0
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0
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李一凡
;
苏柏青
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苏柏青
;
王裕夫
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王裕夫
;
蔡旻桦
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蔡旻桦
;
陈俤彬
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陈俤彬
;
吴志强
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吴志强
;
吴姿锦
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0
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吴姿锦
.
中国专利
:CN115565878A
,2023-01-03
[2]
半导体元件及其制作方法
[P].
庄馥戎
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机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
庄馥戎
;
庄博仁
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机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
庄博仁
;
王俞仁
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机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
王俞仁
;
许启茂
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机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
许启茂
;
郭家铭
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机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
郭家铭
;
黄冠崴
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机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
黄冠崴
;
林俊贤
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机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
林俊贤
.
中国专利
:CN113314467B
,2024-08-27
[3]
半导体元件及其制作方法
[P].
许得彰
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许得彰
;
陈俊嘉
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陈俊嘉
;
王尧展
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王尧展
.
中国专利
:CN114446883A
,2022-05-06
[4]
半导体元件及其制作方法
[P].
许得彰
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许得彰
;
陈俊嘉
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陈俊嘉
;
王尧展
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0
王尧展
.
中国专利
:CN109545784A
,2019-03-29
[5]
半导体元件及其制作方法
[P].
庄馥戎
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庄馥戎
;
庄博仁
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庄博仁
;
王俞仁
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王俞仁
;
许启茂
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许启茂
;
郭家铭
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郭家铭
;
黄冠崴
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黄冠崴
;
林俊贤
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林俊贤
.
中国专利
:CN113314467A
,2021-08-27
[6]
半导体元件以及其制作方法
[P].
洪庆文
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洪庆文
;
吴家荣
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吴家荣
;
李怡慧
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李怡慧
;
刘盈成
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刘盈成
;
黄志森
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黄志森
.
中国专利
:CN107104051A
,2017-08-29
[7]
半导体元件及其制作方法
[P].
李珮瑈
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李珮瑈
;
何坤展
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何坤展
;
陈炫旭
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陈炫旭
;
陈俊隆
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陈俊隆
.
中国专利
:CN112201746A
,2021-01-08
[8]
半导体元件及其制作方法
[P].
郭致玮
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郭致玮
.
中国专利
:CN114512597A
,2022-05-17
[9]
半导体元件及其制作方法
[P].
许智凯
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许智凯
;
傅思逸
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傅思逸
;
邱淳雅
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邱淳雅
;
吴骐廷
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吴骐廷
;
陈金宏
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陈金宏
;
林毓翔
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林毓翔
.
中国专利
:CN113345839A
,2021-09-03
[10]
半导体元件及其制作方法
[P].
李皞明
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李皞明
;
林胜豪
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林胜豪
;
江怀慈
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江怀慈
.
中国专利
:CN106486372B
,2017-03-08
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