电容的制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010541238.0
申请日
2020-06-15
公开(公告)号
CN111613725A
公开(公告)日
2020-09-01
发明(设计)人
刘俊文 陈华伦
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号
H01L4902
IPC分类号
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
罗雅文
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
PIP电容制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108054160A ,2018-05-18
[2]
NORD闪存的制作方法 [P]. 
张剑 ;
熊伟 ;
陈华伦 .
中国专利 :CN112259541B ,2021-01-22
[3]
电容的制作方法、电容和电容组件 [P]. 
杜蕾 .
中国专利 :CN105632889A ,2016-06-01
[4]
PIP电容的制作方法 [P]. 
汤志林 ;
王卉 ;
付永琴 ;
曹子贵 .
中国专利 :CN113192927A ,2021-07-30
[5]
PIP电容的制作方法 [P]. 
王卉 .
中国专利 :CN110459536B ,2019-11-15
[6]
MIM电容的制作方法 [P]. 
马莉娜 ;
姚道州 ;
肖培 ;
戴鸿冉 .
中国专利 :CN112053932B ,2020-12-08
[7]
PIP电容的制作方法 [P]. 
许滨滨 ;
叶甜春 ;
朱纪军 ;
李彬鸿 ;
罗军 ;
赵杰 ;
许静 ;
嵇彤 ;
黎婉雯 .
中国专利 :CN114361137A ,2022-04-15
[8]
MIM电容的制作方法 [P]. 
刘景富 ;
何亮亮 ;
杨大为 ;
王艳生 .
中国专利 :CN104392897A ,2015-03-04
[9]
PIP电容的制作方法 [P]. 
许滨滨 ;
叶甜春 ;
朱纪军 ;
李彬鸿 ;
罗军 ;
赵杰 ;
许静 ;
嵇彤 ;
黎婉雯 .
中国专利 :CN114361137B ,2024-08-27
[10]
嵌入PIP电容的CMOS的制作方法 [P]. 
马万里 ;
闻正锋 ;
赵文魁 .
中国专利 :CN106257647A ,2016-12-28