用于估算功率模块的功率半导体器件的结温的方法和系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011339979.7

申请日：

2020-11-25

公开(公告)号：

CN113655356A

公开(公告)日：

2021-11-16

发明(设计)人：

李制桓

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

G01K1300

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;甄雁翔

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

用于估算功率模块的功率半导体器件的结温的方法和系统 [P].

李制桓 .

韩国专利 :CN113655356B ,2025-05-02

[2]

功率半导体器件堆叠、功率模块和生产功率半导体器件堆叠的方法 [P].

A·莫德 ;

A·皮乔尼 ;

H-J·舒尔策 ;

E·菲尔古特 .

德国专利 :CN120977968A ,2025-11-18

[3]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[4]

超结功率半导体器件和用于制造超结功率半导体器件的方法 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN120167136A ,2025-06-17

[5]

用于确定功率半导体器件的结温的方法和装置 [P].

臧晓云 ;

柳绪丹 .

中国专利 :CN115342938A ,2022-11-15

[6]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11

[7]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06

[8]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

U·维穆拉帕蒂 ;

J·沃贝基 ;

T·维克斯特罗 ;

T·斯蒂亚斯尼 .

:CN120677849A ,2025-09-19

[9]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

R·奥特伦巴 ;

G·郎格尔 ;

P·弗兰克 ;

A·海因里希 ;

A·卢德施特克-佩希洛夫 ;

D·佩多内 .

中国专利 :CN113140537A ,2021-07-20

[10]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN119422224A ,2025-02-11

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