半导体结构及用于形成隔离结构的方法

被引：0

申请号：

CN202210088902.X

申请日：

2022-01-25

公开(公告)号：

CN114823757A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

蔡宗裔吴国裕卢泽华

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

李春秀

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	公开	公开
2022-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20220125

共 50 条

[1]

半导体结构及用于形成半导体结构的方法 [P].

周世培 ;

卢玠甫 .

中国专利 :CN112447779B ,2025-11-07

[2]

半导体结构及用于形成半导体结构的方法 [P].

周世培 ;

卢玠甫 .

中国专利 :CN112447779A ,2021-03-05

[3]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张甍 ;

曹学文 ;

李亨 ;

颜天才 ;

杨列勇 .

中国专利 :CN117637595A ,2024-03-01

[4]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张书浩 ;

汪恒 .

中国专利 :CN119300453A ,2025-01-10

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

王新鹏 .

中国专利 :CN104347517B ,2015-02-11

[6]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张书浩 ;

汪恒 .

中国专利 :CN119300453B ,2025-10-03

[7]

半导体结构及用于形成半导体结构的方法 [P].

廖显原 ;

何建志 ;

林纪贤 ;

曾华洲 ;

陈和祥 ;

刘如淦 ;

叶子祯 ;

吕盈达 .

中国专利 :CN107437559A ,2017-12-05

[8]

半导体结构及用于形成半导体结构的方法 [P].

张荣宏 ;

陈仕承 ;

庄宗翰 ;

张复成 ;

王培宇 ;

江国诚 .

中国专利 :CN120711831A ,2025-09-26

[9]

半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置 [P].

花文涛 ;

张静 ;

纪世良 ;

张海洋 .

中国专利 :CN120302659A ,2025-07-11

[10]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

李强 ;

苏波 .

中国专利 :CN113496875B ,2024-12-17

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