半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310337245.9

申请日：

2013-08-05

公开(公告)号：

CN104347517B

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

王新鹏

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-11	公开	公开
2018-10-16	授权	授权
2015-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601518707 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2013103372459 申请日:20130805
2019-08-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/11521 登记生效日:20190807 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司变更后权利人:中芯北方集成电路制造（北京）有限公司变更事项:地址变更前权利人:100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号变更后权利人:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢变更事项:共同专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

李浩南 ;

张永杰 ;

周永昌 ;

黄晓辉 ;

董琪琪 .

中国专利 :CN117393580A ,2024-01-12

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN105336620A ,2016-02-17

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

王新鹏 ;

潘晶 ;

王琪 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN104425366A ,2015-03-18

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

何其暘 .

中国专利 :CN104425371B ,2015-03-18

[5]

半导体结构及其形成方法和半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN113539944A ,2021-10-22

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵碧瑶 ;

吴旭升 .

中国专利 :CN120111914A ,2025-06-06

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

李亮 ;

王振裕 ;

张宏光 ;

李彦尊 ;

刘晃 ;

林元龙 ;

袁海江 ;

林仲强 .

中国专利 :CN115768110B ,2025-09-30

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106033742A ,2016-10-19

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103839878B ,2014-06-04

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105762107A ,2016-07-13

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