一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其可控制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410594881.4

申请日：

2014-10-29

公开(公告)号：

CN105565292B

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

张锦胡悦康黎星赵秋辰张树辰

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学

IPC主分类号：

C01B32159

IPC分类号：

C01B32162 B82Y3000

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

关畅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663898965 IPC(主分类):C01B 31/02 专利申请号:2014105948814 申请日:20141029
2016-05-11	公开	公开
2018-04-06	授权	授权

共 50 条

[1]

单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法与应用 [P].

张锦 ;

康黎星 ;

胡悦 ;

赵秋辰 ;

张树辰 .

中国专利 :CN105621388B ,2016-06-01

[2]

一种高密度半导体性单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法 [P].

张锦 ;

康黎星 ;

胡悦 ;

赵秋辰 ;

张树辰 .

中国专利 :CN105621387A ,2016-06-01

[3]

一种高密度单壁碳纳米管水平阵列的可控制备方法 [P].

胡悦 ;

张红杰 ;

钱金杰 ;

黄少铭 .

中国专利 :CN111943171B ,2020-11-17

[4]

单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法 [P].

张锦 ;

林德武 ;

谢颖 ;

刘伟铭 ;

钱柳 .

中国专利 :CN115676805A ,2023-02-03

[5]

单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法 [P].

张锦 ;

谢颖 ;

李越 ;

钱柳 ;

赵子强 .

中国专利 :CN117623282A ,2024-03-01

[6]

高密度碳纳米管阵列及其制备方法 [P].

罗春香 ;

张晓波 ;

姜开利 ;

刘亮 ;

范守善 .

中国专利 :CN101338452A ,2009-01-07

[7]

窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法 [P].

姚亚刚 ;

唐磊 .

中国专利 :CN106145082B ,2016-11-23

[8]

一种异径单壁碳纳米管的制备方法 [P].

张锦 ;

姚亚刚 ;

刘冉 ;

刘忠范 .

中国专利 :CN1919728A ,2007-02-28

[9]

同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法 [P].

饶伏波 ;

李铁 ;

王跃林 ;

张志祥 ;

金钦华 .

中国专利 :CN101357757A ,2009-02-04

[10]

一种单壁碳纳米管功能薄膜及其制备方法 [P].

陈名海 ;

赵屹坤 ;

孙宝强 .

中国专利 :CN118458751A ,2024-08-09

← 1 2 3 4 5 →