单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202110842354.0

申请日：

2021-07-26

公开(公告)号：

CN115676805A

公开(公告)日：

2023-02-03

发明(设计)人：

张锦林德武谢颖刘伟铭钱柳

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

C01B32159

IPC分类号：

C01B32162

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

李华;崔香丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法 [P].

张锦 ;

谢颖 ;

李越 ;

钱柳 ;

赵子强 .

中国专利 :CN117623282A ,2024-03-01

[2]

单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法与应用 [P].

张锦 ;

康黎星 ;

胡悦 ;

赵秋辰 ;

张树辰 .

中国专利 :CN105621388B ,2016-06-01

[3]

窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法 [P].

姚亚刚 ;

唐磊 .

中国专利 :CN106145082B ,2016-11-23

[4]

同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法 [P].

饶伏波 ;

李铁 ;

王跃林 ;

张志祥 ;

金钦华 .

中国专利 :CN101357757A ,2009-02-04

[5]

一种单手性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

胡悦 ;

刘大燕 ;

钱金杰 ;

黄少铭 .

中国专利 :CN109678138A ,2019-04-26

[6]

碳纳米管的制备方法，碳纳米管纤维 [P].

邓飞 ;

辛培培 .

中国专利 :CN110734053B ,2020-01-31

[7]

一种制备高纯度单壁碳纳米管垂直阵列的方法 [P].

赵斌 ;

杨俊和 ;

王现英 ;

杨光智 ;

何星 ;

唐志红 ;

张磊 .

中国专利 :CN101948105A ,2011-01-19

[8]

一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其可控制备方法 [P].

张锦 ;

胡悦 ;

康黎星 ;

赵秋辰 ;

张树辰 .

中国专利 :CN105565292B ,2016-05-11

[9]

一种高密度半导体性单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法 [P].

张锦 ;

康黎星 ;

胡悦 ;

赵秋辰 ;

张树辰 .

中国专利 :CN105621387A ,2016-06-01

[10]

单壁碳纳米管的制备方法 [P].

X·张 ;

J·马 ;

H·滕嫩特 ;

R·霍奇 .

中国专利 :CN101103150A ,2008-01-09

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