一种高密度半导体性单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410594398.6

申请日：

2014-10-29

公开(公告)号：

CN105621387A

公开(公告)日：

2016-06-01

发明(设计)人：

张锦康黎星胡悦赵秋辰张树辰

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学

IPC主分类号：

C01B3102

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

关畅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-01	公开	公开
2016-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101667893039 IPC(主分类):C01B 31/02 专利申请号:2014105943986 申请日:20141029
2018-06-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李彦 ;

彭飞 ;

秦校军 ;

杨娟 .

中国专利 :CN103803522B ,2014-05-21

[2]

一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其可控制备方法 [P].

张锦 ;

胡悦 ;

康黎星 ;

赵秋辰 ;

张树辰 .

中国专利 :CN105565292B ,2016-05-11

[3]

一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

潘春旭 ;

罗成志 ;

廖蕾 ;

万达 .

中国专利 :CN104944412B ,2015-09-30

[4]

单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法与应用 [P].

张锦 ;

康黎星 ;

胡悦 ;

赵秋辰 ;

张树辰 .

中国专利 :CN105621388B ,2016-06-01

[5]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

张亚非 ;

苏言杰 ;

李子炯 .

中国专利 :CN101671001B ,2010-03-17

[6]

半导体性单壁碳纳米管平行阵列及其制备方法和应用 [P].

李彦 ;

赵雪 .

中国专利 :CN119072209A ,2024-12-03

[7]

单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法 [P].

张锦 ;

林德武 ;

谢颖 ;

刘伟铭 ;

钱柳 .

中国专利 :CN115676805A ,2023-02-03

[8]

单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法 [P].

张锦 ;

谢颖 ;

李越 ;

钱柳 ;

赵子强 .

中国专利 :CN117623282A ,2024-03-01

[9]

一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法 [P].

侯鹏翔 ;

于冰 ;

刘畅 ;

成会明 .

中国专利 :CN102431989A ,2012-05-02

[10]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李杰 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN103325662A ,2013-09-25

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