半导体性单壁碳纳米管平行阵列及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310625834.0

申请日：

2023-05-30

公开(公告)号：

CN119072209A

公开(公告)日：

2024-12-03

发明(设计)人：

李彦赵雪

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H10K85/20

IPC分类号：

H10K10/46 C01B32/159 C01B32/16

代理机构：

北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426

代理人：

张玉玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 85/20申请日:20230530
2024-12-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

张亚非 ;

苏言杰 ;

李子炯 .

中国专利 :CN101671001B ,2010-03-17

[2]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李彦 ;

彭飞 ;

秦校军 ;

杨娟 .

中国专利 :CN103803522B ,2014-05-21

[3]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李杰 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN103325662A ,2013-09-25

[4]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李杰 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN103318868A ,2013-09-25

[5]

半导体性单壁碳纳米管的提纯方法 [P].

韩杰 .

中国专利 :CN109809390B ,2019-05-28

[6]

半导体性单壁碳纳米管的提纯方法 [P].

韩杰 .

中国专利 :CN109809393B ,2019-05-28

[7]

半导体性单壁碳纳米管的提纯方法 [P].

韩杰 .

中国专利 :CN109867273B ,2019-06-11

[8]

一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

潘春旭 ;

罗成志 ;

廖蕾 ;

万达 .

中国专利 :CN104944412B ,2015-09-30

[9]

基于苯基化修饰方法制备半导体性单壁碳纳米管的方法及其制品和应用 [P].

胡悦 ;

王赢 ;

钱金杰 ;

黄少铭 .

中国专利 :CN110255533B ,2019-09-20

[10]

窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法 [P].

刘畅 ;

赵石永 ;

侯鹏翔 ;

成会明 .

中国专利 :CN104211044A ,2014-12-17

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