基于苯基化修饰方法制备半导体性单壁碳纳米管的方法及其制品和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910531490.0
申请日
2019-06-19
公开(公告)号
CN110255533B
公开(公告)日
2019-09-20
发明(设计)人
胡悦 王赢 钱金杰 黄少铭
申请人
申请人地址
325000 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技孵化器
IPC主分类号
C01B3216
IPC分类号
C01B32159 C01B32174
代理机构
温州名创知识产权代理有限公司 33258
代理人
陈加利
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P]. 
李彦 ;
彭飞 ;
秦校军 ;
杨娟 .
中国专利 :CN103803522B ,2014-05-21
[2]
半导体性单壁碳纳米管平行阵列及其制备方法和应用 [P]. 
李彦 ;
赵雪 .
中国专利 :CN119072209A ,2024-12-03
[3]
一种基于甲基化修饰制备半导体性单壁碳纳米管的方法 [P]. 
胡悦 ;
王赢 ;
钱金杰 ;
黄少铭 .
中国专利 :CN110028055A ,2019-07-19
[4]
半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P]. 
张亚非 ;
苏言杰 ;
李子炯 .
中国专利 :CN101671001B ,2010-03-17
[5]
半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P]. 
李杰 ;
姜开利 ;
范守善 .
中国专利 :CN103325662A ,2013-09-25
[6]
半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P]. 
李杰 ;
姜开利 ;
范守善 .
中国专利 :CN103318868A ,2013-09-25
[7]
一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P]. 
潘春旭 ;
罗成志 ;
廖蕾 ;
万达 .
中国专利 :CN104944412B ,2015-09-30
[8]
一种单根分散、半导体性富集单壁碳纳米管薄膜的制备方法 [P]. 
侯鹏翔 ;
李晓齐 ;
刘畅 ;
蒋松 ;
蹇杨 .
中国专利 :CN112194116A ,2021-01-08
[9]
半导体性单壁碳纳米管的提纯方法 [P]. 
韩杰 .
中国专利 :CN109809390B ,2019-05-28
[10]
半导体性单壁碳纳米管的提纯方法 [P]. 
韩杰 .
中国专利 :CN109809393B ,2019-05-28