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基于苯基化修饰方法制备半导体性单壁碳纳米管的方法及其制品和应用
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910531490.0
申请日
:
2019-06-19
公开(公告)号
:
CN110255533B
公开(公告)日
:
2019-09-20
发明(设计)人
:
胡悦
王赢
钱金杰
黄少铭
申请人
:
申请人地址
:
325000 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技孵化器
IPC主分类号
:
C01B3216
IPC分类号
:
C01B32159
C01B32174
代理机构
:
温州名创知识产权代理有限公司 33258
代理人
:
陈加利
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-09-20
公开
公开
2019-10-22
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/16 申请日:20190619
2022-12-27
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体性单壁碳纳米管的制备方法
[P].
李彦
论文数:
0
引用数:
0
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0
李彦
;
彭飞
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彭飞
;
秦校军
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秦校军
;
杨娟
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0
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杨娟
.
中国专利
:CN103803522B
,2014-05-21
[2]
半导体性单壁碳纳米管平行阵列及其制备方法和应用
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
李彦
;
论文数:
引用数:
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机构:
赵雪
.
中国专利
:CN119072209A
,2024-12-03
[3]
一种基于甲基化修饰制备半导体性单壁碳纳米管的方法
[P].
胡悦
论文数:
0
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0
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0
胡悦
;
王赢
论文数:
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王赢
;
钱金杰
论文数:
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钱金杰
;
黄少铭
论文数:
0
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0
黄少铭
.
中国专利
:CN110028055A
,2019-07-19
[4]
半导体性单壁碳纳米管的制备方法
[P].
张亚非
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0
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张亚非
;
苏言杰
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苏言杰
;
李子炯
论文数:
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0
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李子炯
.
中国专利
:CN101671001B
,2010-03-17
[5]
半导体性单壁碳纳米管的制备方法
[P].
李杰
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李杰
;
姜开利
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姜开利
;
范守善
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范守善
.
中国专利
:CN103325662A
,2013-09-25
[6]
半导体性单壁碳纳米管的制备方法
[P].
李杰
论文数:
0
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李杰
;
姜开利
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姜开利
;
范守善
论文数:
0
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0
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范守善
.
中国专利
:CN103318868A
,2013-09-25
[7]
一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法
[P].
潘春旭
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潘春旭
;
罗成志
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罗成志
;
廖蕾
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廖蕾
;
万达
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0
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万达
.
中国专利
:CN104944412B
,2015-09-30
[8]
一种单根分散、半导体性富集单壁碳纳米管薄膜的制备方法
[P].
侯鹏翔
论文数:
0
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0
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侯鹏翔
;
李晓齐
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0
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李晓齐
;
刘畅
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刘畅
;
蒋松
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0
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蒋松
;
蹇杨
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0
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0
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0
蹇杨
.
中国专利
:CN112194116A
,2021-01-08
[9]
半导体性单壁碳纳米管的提纯方法
[P].
韩杰
论文数:
0
引用数:
0
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韩杰
.
中国专利
:CN109809390B
,2019-05-28
[10]
半导体性单壁碳纳米管的提纯方法
[P].
韩杰
论文数:
0
引用数:
0
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0
韩杰
.
中国专利
:CN109809393B
,2019-05-28
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